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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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電機(jī)控制和轉(zhuǎn)換效率對(duì)汽車(chē)應(yīng)用至關(guān)重要
對(duì)于越來(lái)越多的汽車(chē)應(yīng)用來(lái)說(shuō),電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制應(yīng)用的效率是一項(xiàng)始終需要關(guān)注的設(shè)計(jì)規(guī)范要求。現(xiàn)代內(nèi)燃機(jī)汽車(chē)越來(lái)越多地使用低壓三相電機(jī)控制系統(tǒng),包括燃油泵、...
SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力
碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可,例如電動(dòng)汽車(chē)(EV)牽引逆變器和車(chē)載充電器、快速電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...
2024-07-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET碳化硅 587 0
兼容JW5017S 30V/1A 1.4MHz同步降壓轉(zhuǎn)換IC
該RY8310是一種高頻,同步,整流,降壓,開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個(gè)非常緊湊的解決方案,可在寬的輸入電源范圍內(nèi)提供1A的連續(xù)電...
2024-06-24 標(biāo)簽:MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換IC 584 0
了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵,這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行,并滿(mǎn)足汽車(chē)和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對(duì)每十億個(gè)部...
一種軟件可配置的SiC MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)方法
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員必須首先抵消其更快的開(kāi)關(guān)速度帶來(lái)的不...
2024-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 581 0
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng)—探頭的CMRR
在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來(lái)觀(guān)測(cè)波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會(huì)...
MOSFET在消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的應(yīng)用
PC電源是一個(gè)無(wú)工頻變壓器的四路開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源,其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效率高和過(guò)流過(guò)壓保護(hù)的特點(diǎn)。
為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片,而非Si MOSFET?
英飛凌作為電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)先企業(yè),其取得的一大顯著成就是,開(kāi)發(fā)了用于集成功率模塊(IPM)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)...
工業(yè)電池充電器的PFC級(jí)拓?fù)鋵?duì)比
工業(yè)設(shè)備正在向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型,亟需穩(wěn)健、可靠、高效的電池充電方案。從電動(dòng)工具到重型機(jī)械,其充電器必須能夠適應(yīng)惡劣的環(huán)境和不同的電源(120-480 Vac)...
隨著科技的飛速發(fā)展,智能穿戴產(chǎn)品已成為現(xiàn)代生活的必須。在這個(gè)追求個(gè)性與便捷的時(shí)代,仁懋電子憑借其高性能的MOSFET產(chǎn)品,為智能穿戴市場(chǎng)注入動(dòng)力。今天,...
重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
2023-12-14 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開(kāi)關(guān)元件 570 0
首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...
為了正確預(yù)測(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)和EMC行為,必須有一個(gè)精確的模型,了解其在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。這些信息使設(shè)計(jì)人員能夠使用SPICE軟件包...
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器源極 562 0
超大規(guī)模計(jì)算通常依賴(lài)于具有超高可擴(kuò)展性的服務(wù)器架構(gòu)和虛擬網(wǎng)絡(luò)。要確保設(shè)備全天24小時(shí)保持連接,熱插拔功能仍然是一種關(guān)鍵功能。但是,要在開(kāi)關(guān)效率和強(qiáng)大安全...
安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。
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