碳化硅 (SiC) 器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可,例如電動(dòng)汽車 (EV) 牽引逆變器和車載充電器、快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變壓器等。這些器件的性能和成本的持續(xù)改進(jìn)對(duì)于它們?cè)谶@些和其他新應(yīng)用中的增長(zhǎng)至關(guān)重要。

在本文中,我們將重點(diǎn)介紹SK powertech旗下的 SiC MOSFET 的性能優(yōu)勢(shì),該產(chǎn)品現(xiàn)在包括更廣泛的產(chǎn)品組合,其中包括1200V 碳化硅 MOSFET。
SK powertech的SiC MOSFET技術(shù)是一種基于硅碳化物(SiC)半導(dǎo)體材料的先進(jìn)功率器件技術(shù)。這種技術(shù)利用了SiC材料的高電壓耐受性、高熱導(dǎo)性和低開關(guān)損耗的特性,使之成為高效能和高可靠性應(yīng)用的理想選擇。
SiC MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET,在高溫和高頻工作環(huán)境下表現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢(shì),這使其在電動(dòng)車、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心的電源管理等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。

SK powertech的SiC MOSFET還采用了最新的TO-247-3L封裝技術(shù),這些技術(shù)提高了元件的熱管理能力和長(zhǎng)期可靠性。例如,其具備減少寄生電容和提升開關(guān)速度的設(shè)計(jì),這樣可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)的總體能耗并提高效率。此外,這種技術(shù)的環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng),能在更廣泛的溫度和壓力范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,為用戶提供了更靈活、更高效的電力解決方案。
SK powertech的1200V SiC MOSFET

特點(diǎn)
·低導(dǎo)通電阻
·高速切換
·高頻操作
·快速反向恢復(fù)
·易于并聯(lián)且驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
·無鹵素,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
·開關(guān)模式電源
·功率因數(shù)校正
·高強(qiáng)度氣體放電(HID)照明
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