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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
太陽(yáng)能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前,先探討了 Si...
70mΩ受保護(hù)負(fù)載管理開(kāi)關(guān)
為了節(jié)約能源,許多電池供電電路中都采用了簡(jiǎn)單的關(guān)斷方案。然而,并非所有電路都適合直接控制,相反,電源必須通過(guò)開(kāi)關(guān)關(guān)閉。LTC?1477 高端開(kāi)關(guān)專為此目...
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 606 0
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2023-06-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)二極管MOSFET 601 0
使用36 V鋰離子電池供電的工具和室外電力設(shè)備變得日益常見(jiàn)。這類電池具有良好的功率和電池壽命搭配,同時(shí)相對(duì)輕便,易于使用。但由于能量密度比較高,因此它們...
AiP44531/AiP44532通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器參數(shù)
AiP44531/AiP44532是一款通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,直接驅(qū)動(dòng)IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開(kāi)關(guān)。...
2024-12-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源管理 601 0
全方位解剖MOS管 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1):等效電路 (2):說(shuō)明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān)...
安森美解讀區(qū)域控制架構(gòu)的市場(chǎng)趨勢(shì)
區(qū)域控制架構(gòu)的出現(xiàn)是為了應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)的快速變化,尤其是電動(dòng)汽車的興起。低壓配電和車載網(wǎng)絡(luò)已取得重大進(jìn)步;分布式區(qū)域配電則簡(jiǎn)化了線束結(jié)構(gòu),使重量得以減輕,...
隨著環(huán)保意識(shí)的提升,在多國(guó)政府法規(guī)積極推動(dòng)之下,促使電子產(chǎn)品對(duì)電源供應(yīng)器規(guī)格要求越來(lái)越嚴(yán)格。
如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓
上一期,我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓。現(xiàn)在,我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。
2024-11-04 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器MOSFET 597 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開(kāi)始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負(fù)電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...
2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 593 0
秋天的氣溫會(huì)下降,且空氣濕度較低,可能會(huì)導(dǎo)致皮脂腺油脂分泌減少,從而導(dǎo)致出現(xiàn)皮膚干燥、起皮等癥狀。
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如,在USB端口中,必須防止電流過(guò)大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣,在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)...
快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中,花樣繁多的新型開(kāi)關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。
基于SiC模塊的電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)
壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分,它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力,通過(guò)皮帶...
2024-11-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET壓縮機(jī) 588 0
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