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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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實際工作中的晶體管適用性確認-確認在實際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
GaN IC設(shè)計系統(tǒng)級優(yōu)勢分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。
如何提高汽車動力總成中電磁閥和致動器應(yīng)用的可靠性
所有拓撲都使用“峰值和保持”概念,即首先使用較高(峰值)電流來激活機械電磁閥,然后降低電流(保持)以保持機械運動。第一個選項是升壓拓撲,將電池電壓升至6...
功率半導體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導體是功率器件與電源管理IC的集合...
氫能的四大應(yīng)用場景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來有關(guān)功率半導體器件的OO成果,如SiC,G...
現(xiàn)代家長都希望自己的孩子能夠贏在起跑線上,為未來的學習和事業(yè)打下堅實的基礎(chǔ)。幼兒啟蒙裝備市場早已興起,互動、點讀、故事、音樂、語數(shù)英教育為一身的認讀機、...
功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 648 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
在上一篇文章中,對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。
通過三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率(仿真)
繼上一篇中通過雙脈沖測試進行損耗比較的內(nèi)容之后,本文中我們將對本系列文章的評估對象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進行比較。MOSFET與雙脈沖測試中使用的...
快速恢復二極管CMF02A應(yīng)對車載電源設(shè)計挑戰(zhàn)
CMF02A是一款具有高速開關(guān)用途的FRD二極管,與典型二極管相比,F(xiàn)RD具有更短的反向恢復時間(trr),因此具有更快的開關(guān)時間和更低的損耗。當然,C...
爆款干貨資料光伏逆變器系統(tǒng)設(shè)計指南持續(xù)上新,第一篇文章我們介紹了系統(tǒng)目標、市場趨勢、系統(tǒng)實現(xiàn)、系統(tǒng)描述。本文將重點介紹解決方案。
超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導地位,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計的場合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時實現(xiàn)低導通電阻,突破了傳統(tǒng)硅極限?,...
2025-01-03 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源芯片 638 0
長工微電子50A高度集成E-Fuse IS6105A解決方案
計算密集型應(yīng)用和大規(guī)模數(shù)據(jù)處理需求的不斷增長,服務(wù)器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要大電流的穩(wěn)定供應(yīng)以支持高性能計算。伴隨著功率需求的顯著增加,電源系統(tǒng)必須具備高效的過流...
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