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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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共讀好書(shū) 首先,我們先了解一下,什么是功率半導(dǎo)體? 功率半導(dǎo)體包括兩個(gè)部分:功率器件和功率IC。功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率...
碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試
摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了...
2022-12-21 標(biāo)簽:IGBT碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2489 0
半導(dǎo)體漲價(jià)潮后 被動(dòng)元件產(chǎn)業(yè)今年相當(dāng)樂(lè)觀
自去年以來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)的“漲聲”就不絕于耳。2020年12月9日,國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體龍頭士蘭微表示,公司相關(guān)產(chǎn)品成本不斷提升,即日起SGT MOS產(chǎn)品的價(jià)格...
Mentor Graphics推出全新的MicReD Power Tester 600A產(chǎn)品提供可擴(kuò)展的解決方案
近年來(lái),由于空氣問(wèn)題給環(huán)境帶來(lái)惡略的影響,各地都在出臺(tái)相關(guān)措施來(lái)改變空氣,從而新能源汽車得到廣泛推廣應(yīng)用。目前電動(dòng)和混合動(dòng)力車研發(fā)中,工程師面臨關(guān)鍵的一...
2018-04-27 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 2473 0
富士電機(jī)IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號(hào)對(duì)照表
注:只列出封裝相同之模塊;-50表示RoHs 富士電機(jī)S系列PIM模塊
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 2468 0
K課堂丨超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)過(guò)程
超快恢復(fù)二極管是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間超短的半導(dǎo)體二極管,常用來(lái)給高頻逆變裝置的開(kāi)關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器,使開(kāi)關(guān)器件...
IGBT芯片經(jīng)歷了一系列的迭代過(guò)程從PT技術(shù)向NPT技術(shù),再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí),使芯片變薄,降低了熱阻,并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引...
逆變器IGBT模塊的使用分析,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)
逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技...
華潤(rùn)上華成功開(kāi)發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵...
2012-05-29 標(biāo)簽:UPSIGBT太陽(yáng)能逆變器 2449 0
IR為高功率工業(yè)應(yīng)用推出新IGBT模塊系列
2014年11月10日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出...
2014-11-11 標(biāo)簽:IRIGBT太陽(yáng)能逆變器 2438 0
2023年11月28日,由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo),由北京經(jīng)開(kāi)區(qū)管委會(huì)主辦,蓋世汽車承辦,國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持的“芯...
第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成
2021年6月,富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 404...
太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案
太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案。大多數(shù)人都知道,過(guò)去10年來(lái)太陽(yáng)能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽(yáng)能選址(太陽(yáng)能的位置)和共同土地使用...
2021-05-28 標(biāo)簽:集成太陽(yáng)能電池板IGBT 2389 0
IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車”交付?亂局之下,國(guó)產(chǎn)IGBT迎來(lái)黃金期
日前,全球最大的汽車芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問(wèn)題,致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉,這批芯片原計(jì)劃將被用于韓國(guó)現(xiàn)代汽...
機(jī)載高頻開(kāi)關(guān)電源的系統(tǒng)構(gòu)成以及其設(shè)計(jì)
機(jī)載高頻開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品專門(mén)用于輸入交流400Hz的場(chǎng)合,這是特意為了滿足軍用雷達(dá)、航空航天、艦船、機(jī)車以及導(dǎo)彈發(fā)射等專門(mén)用途所設(shè)計(jì)的。應(yīng)用戶要求,研制出機(jī)...
2017-12-03 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源igbt 2386 0
近年來(lái)IGBT的可靠性問(wèn)題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注,特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板...
2022-04-08 標(biāo)簽:IGBT 2383 0
摘要:SCALE驅(qū)動(dòng)是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板,可用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動(dòng)板的主要功能、工作模...
激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT背面工藝的重要步驟。對(duì)離子注入后的硅基IGBT圓片背面進(jìn)行激光快速退火,實(shí)現(xiàn)激活深度,有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)...
IGBT功率元件的應(yīng)用及保護(hù)技術(shù)
IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題是驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路,本文根據(jù)在實(shí)際工作中對(duì)IGBT的應(yīng)用討論有關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)問(wèn)題。
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