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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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硬開關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
硬開關(guān)斬波電路中的IGBT的關(guān)斷電壓波形電路
2010-02-17 標(biāo)簽:IGBT 2222 0
有業(yè)內(nèi)人士表示,國內(nèi)IGBT晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)緊張,華虹半導(dǎo)體、中芯紹興等IGBT代工廠從去年底至今均處于滿載狀態(tài),多家IGBT芯片設(shè)計(jì)廠商表示,晶圓工廠...
當(dāng)前電動(dòng)汽車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要...
2023-11-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車模塊IGBT 2218 0
高壓IGBT變頻器及應(yīng)用 1前言 電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合,有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展
2009-07-18 標(biāo)簽:IGBT 2214 0
電磁爐的整流橋和Igbt如何搭配? 電磁爐是目前主流的一種炊具,其使用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行加熱。而電磁感應(yīng)需要一種特殊的電源供給方式,這就需要通過整流橋和I...
2024-01-15 標(biāo)簽:IGBT整流橋電磁感應(yīng) 2207 0
據(jù)報(bào)道,英飛凌科技Bipolar有限公司進(jìn)一步擴(kuò)大雙極半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容,推出光觸發(fā)晶閘管,它們可增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性、降低系統(tǒng)成本并簡(jiǎn)化超大功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)。英飛...
除此之外,我們?cè)谠u(píng)估板上的效率評(píng)估結(jié)果,它被模擬為每個(gè)應(yīng)用程序的電路,以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如,下圖顯示了逆變電路中的...
來自英飛凌開發(fā)者社區(qū)的10問10答——IGBT篇
Q在IGBT器件的開通過程中,柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的?A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊(cè)中如圖1所示,給出了柵極電荷Qg和柵...
臺(tái)基股份擬募集資金2.3億元投資于6吋Bipolar晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目
今天,臺(tái)基股份發(fā)布公告稱,公司向特定對(duì)象發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市已通過深交所審核并收到批復(fù)。此次募集資金不超過5億元,將用于新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級(jí)項(xiàng)...
“國產(chǎn)化替代”的市場(chǎng)機(jī)遇是驅(qū)動(dòng)國內(nèi)IGBT廠商成長(zhǎng)的關(guān)鍵
2020年,客戶需求旺盛依舊,國內(nèi)IGBT市場(chǎng)供應(yīng)緊缺的情況卻并未緩解,反而愈演愈烈。自年初起,國際IGBT大廠均受疫情影響,產(chǎn)能供應(yīng)不足的問題持續(xù)至今。
半導(dǎo)體行業(yè)IGBT晶圓發(fā)展及應(yīng)用技術(shù)詳解
IGBT絕緣柵雙極型晶體管;作為一種高效能的半導(dǎo)體元件它一般應(yīng)用在不間斷電源UPS和變頻器上;自IGBT開啟工業(yè)化應(yīng)用以來,技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變,涌...
目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況?
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷,那么加一個(gè)反壓呢?IGBT會(huì)是什么情況? 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況,我們需要探...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速...
IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷请娏﹄娮友b置的CPU 。采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車...
群創(chuàng)光電InnoLED引領(lǐng)Esports電競(jìng)螢?zāi)籣環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)IGBT與SiC電源模塊
群創(chuàng)新一代「InnoLED技術(shù)」業(yè)界首發(fā)27吋 1440p IGZO 300hz miniLED 電競(jìng)面板,搭配NVIDIA創(chuàng)新Esports 規(guī)格,并...
江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”),一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)的高新技術(shù)企業(yè),近日向證監(jiān)會(huì)提交了首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案...
2024-02-26 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 2176 0
揚(yáng)杰科技一季度盈利同比增長(zhǎng)45%-65%
3月15日晚間,揚(yáng)杰科技發(fā)布2020年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)告,預(yù)計(jì)公司第一季度盈利5083.86萬元–5785.08萬元,同比增長(zhǎng)45%-65%。
在圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中采用這些高性能SiC MOSFET配置,系統(tǒng)能效達(dá)到97% (典型值)。該設(shè)計(jì)包括硬件過流保護(hù)(OCP)、硬件過壓保護(hù)(OVP)和...
2022-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTPFC 2176 0
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