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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3073個 瀏覽：254725次 帖子：484個

      igbt資訊

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      IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。

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      絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復合器件，因此，它既具有MOSFE...

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      馬來西亞正齊集團CEO胡光榮表示，非常榮幸能夠在杭州蕭山建設第三代半導體模塊封裝工廠，這是我們集團響應全球‘雙碳’目標和‘自主可控’戰(zhàn)略的重要舉措。我們...

      2023-10-22 標簽：半導體IGBT碳化硅 2280 0

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      隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發(fā)展已經使IGBT已成為我國最重要的應用領域...

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      2023-04-25 標簽：模塊IGBT 2276 0

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      2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出...

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