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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3073個 瀏覽：254715次 帖子：484個

      igbt資訊

      英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級最佳效能　

      　英飛凌科技發表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產品，其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品，英飛...

      2012-11-16 標簽：英飛凌IGBT電源芯片 2670 1

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      igbt與mos管的區別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semic...

      2023-12-07 標簽：MOS管IGBT晶體管 2666 0

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      功率補償的作用？如何進行功率補償的切換呢？ 一、功率補償的作用 當負載變化引起發電機的電壓和頻率的波動時，功率補償就是為了保證電網的穩定運行。功率補償的...

      2023-11-06 標簽：電容器IGBT功率補償 2665 0

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      2022-05-19 標簽：IGBT 2635 0

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      共讀好書 前言 作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT應用非常廣泛，如家用電器、電動汽車、鐵路、充電基礎設施、充電樁，光伏、風能，工業制造、電機驅動...

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      2023-03-26 標簽：電壓IGBT 2569 0

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