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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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2021年11月3日上午,備受關注的2020年度國家科學技術獎在北京人民大會堂舉行。由比亞迪股份有限公司牽頭完成的《高性能電動汽車動力系統關鍵技術及產業...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)驅動這個話題一直是我們重點關注的領域,在眾多驅動中,IGBT的驅動肯定是極具話題性的一類。IGBT驅動可以說直接決定了IG...
青銅劍技術適配PrimePACK?封裝IGBT模塊雙通道2QP0320Txx-CN
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Peter Rogerson表示,一個月以來雙方還一直在就收購后的安排進行討論,他和團隊成員還是頭一晚才拿到正式發布的演講稿。不過他確認PI的此次收...
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕...
卷全球汽車產業的芯片荒大有愈演愈烈之勢。然而,正是在這樣的危機之中,或許孕育著中國新能源汽車產業又一次“超車”的機會。
瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業領先的超低損耗特性,提升系統功率
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產品,其可將用于...
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創新的IGBT內部封裝技術 英飛凌推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模
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GTO、IGBT等電力電子元件關斷的時候是不是都要負電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們在關斷過程中確實需要負電壓。 首先,讓我們了...
日前,比亞迪公司董事會同意控股子公司比亞迪半導體股份有限公司籌劃分拆上市事項,欲啟動分拆比亞迪半導體上市的前期籌備工作。業內人士稱,本次分拆上市將有效提...
模擬電子技術是一門研究對仿真信號進行處理的模擬電路的學科。模擬電子技術中的二極管、三極管和場效應管是最為關鍵的電子器件。本文將會盤點電子發燒友模擬技術頻...
本文設計一種驅動供電電源,并通過實際測試證明其可用性。常見的驅動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進行設計。由于反激電源在開關關斷期間才向負載提供能...
12月22日,上交所網站信息顯示,江蘇宏微科技股份有限公司(以下簡稱“宏微科技”)的科創板上市申請已獲受理。
電動汽車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預計到2021年電動汽車將達到年產800萬輛,為2018年的兩倍。
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