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GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2024-02-20 11:28 ? 次閱讀

GTO、IGBT電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的?

GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們?cè)陉P(guān)斷過程中確實(shí)需要負(fù)電壓。

首先,讓我們了解一下GTO和IGBT的工作原理

GTO是一種四層PNPN結(jié)構(gòu)的功率晶體管,由一個(gè)P型注入器和一個(gè)底部的N型基極、一個(gè)中間的P型區(qū)域以及頂部的N型柵極組成。在正向偏置的情況下,當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí),GTO處于開啟狀態(tài),電流可以通過它流動(dòng)。當(dāng)我們需要關(guān)閉GTO時(shí),我們需要對(duì)其施加負(fù)的柵極電壓。在這種情況下,柵極區(qū)域的電荷被擴(kuò)散到基極和底部,從而將PNPN結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的電流流過其中的絕緣層而抑制。

而IGBT是一種三層結(jié)構(gòu)的功率晶體管,由一個(gè)N型注入器和底部的P型區(qū)域以及一個(gè)頂部的N型柵極組成。在正向偏置的情況下,當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí),電流可以通過IGBT流動(dòng)。與GTO一樣,當(dāng)我們需要關(guān)閉IGBT時(shí),我們也需要對(duì)其施加負(fù)的柵極電壓。在這種情況下,負(fù)柵極電壓會(huì)將柵極區(qū)域的電荷擴(kuò)散到基極和底部,從而抑制導(dǎo)致電流流動(dòng)的NPN結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)在讓我們深入研究為什么GTO和IGBT在關(guān)斷時(shí)需要負(fù)電壓。

當(dāng)GTO或IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),其分別形成了PNPN和NPN的結(jié)構(gòu)。為了將其關(guān)閉,我們需要抑制這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的電流。由于這些結(jié)構(gòu)的原因,僅僅通過將柵極電壓降至0V是不夠的,這可能只會(huì)導(dǎo)致元件處于邊沿導(dǎo)通狀態(tài),電流仍然繼續(xù)流動(dòng)。因此,我們需要施加負(fù)的柵極電壓,以充分?jǐn)U散柵極區(qū)域的電荷,阻止從電源到負(fù)載的電流流動(dòng)。

負(fù)電壓的施加可以通過引入關(guān)斷電路或使用負(fù)電源來實(shí)現(xiàn)。關(guān)斷電路通常由電容和電感組成,通過控制其放電過程來產(chǎn)生負(fù)電壓。當(dāng)控制信號(hào)發(fā)生變化時(shí),關(guān)斷電路將產(chǎn)生負(fù)電壓,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)GTO或IGBT的關(guān)斷。

此外,在電力電子應(yīng)用中的某些情況下,如直流電源或直流電機(jī)的反饋能量的方向發(fā)生變化時(shí),也會(huì)產(chǎn)生負(fù)電壓。這樣的情況下,負(fù)電壓將自動(dòng)形成,以達(dá)到關(guān)斷GTO或IGBT的目的。

總結(jié)起來,GTO和IGBT在關(guān)斷時(shí)確實(shí)需要負(fù)電壓。由于其結(jié)構(gòu)的特殊性,僅僅降低柵極電壓至0V是不夠的,因此需要施加負(fù)的電壓來充分?jǐn)U散柵極區(qū)域的電荷,以阻止電流流動(dòng)。負(fù)電壓可以通過關(guān)斷電路或電源極性的改變來產(chǎn)生。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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