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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲,采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 402 0
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵雙極型晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛...
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ),通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。
UCC14141-Q1 汽車級(jí) 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14141-Q1 將變...
FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于破壁機(jī)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
破壁機(jī)在人們?nèi)粘I钪幸呀?jīng)很常見了,終端客戶在使用的時(shí)候不僅僅關(guān)注外觀,更會(huì)關(guān)注影響產(chǎn)品質(zhì)量的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的知識(shí)了。
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...
ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)...
2025-06-04 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 381 0
TMS320F28P659DH-Q1 汽車級(jí) C2000 32 位 MCU,600MIPS,2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術(shù)手冊(cè)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的一員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設(shè)計(jì),包...
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 標(biāo)簽:IGBT防靜電功率半導(dǎo)體 373 0
UCC21739-Q1 汽車級(jí) 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)...
UCC15240-Q1 汽車類 2.5W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC15240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC15240-Q1 將變...
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
2025-04-27 標(biāo)簽:IGBT電力電子柵極驅(qū)動(dòng)器 359 0
功率器件開關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測(cè)試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測(cè)試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 353 0
UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保...
UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分離輸出的汽車類 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動(dòng)器(緩沖電路)解決方案。UCC27511A-Q1 器件是...
UCC27526 具有 5V UVLO、使能和雙 TTL 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...
UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 2 級(jí)關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能...
UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級(jí) 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...
UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 324 0
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