UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護功能、一流的動態性能和穩健性。UCC21739-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。

輸入側采用 SiO2 電容隔離技術與輸出側隔離，支持高達 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 浪涌抗擾度基本隔離，隔離柵壽命超過 40 年，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21739-q1.pdf

UCC21739-Q1 包括最先進的保護功能，例如快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO，以優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性。隔離式模擬轉 PWM 傳感器可用于更輕松地進行溫度或電壓傳感，進一步提高驅動器的多功能性，并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。

特性

• 3kVRMS 單通道隔離柵極驅動器
• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C3
• 高達 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大輸出驅動電壓 （VDD-VEE）
• ±10A 驅動強度和分離輸出
• 最小 CMTI 為 150V/ns
• 270ns 響應時間快速過流保護
• 外部主動米勒夾具
• 發生故障時內部 2 級關斷
• 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器，用于
  • 使用 NTC、PTC 或熱敏二極管進行溫度傳感
  • 高壓 DC-Link 或相電壓
• FLT 過流報警，并從 RST/EN 復位
• RST/EN 上的快速啟用/禁用響應
• 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
• 12V VDD UVLO，RDY 上電源正常
• 具有過沖/下沖瞬態電壓的輸入/輸出抗擾度高達 5V
• 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/部件偏移
• SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙距離> 8mm
• 工作結溫 –40°C 至 150°C

參數

方框圖

一、產品概述

UCC-Q是一款專為SiC MOSFETs和IGBTs設計的汽車級A源/漏隔離單通道柵極驅動器，支持高達V DC的操作電壓，并具有先進的保護功能和隔離模擬傳感功能。

二、主要特性

• ?高隔離電壓?：kV RMS單通道隔離，適用于高電壓應用。
• ?寬溫度范圍?：-°C至+°C的AEC-Q認證，適用于汽車電子應用。
• ?高輸出驅動能力?：±A峰值源和漏電流，支持高達V的最大輸出驅動電壓（VDD-VEE）。
• ?先進保護功能?：包括快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側電源欠壓鎖定（UVLO）等。
• ?隔離模擬傳感?：集成的隔離模擬到PWM傳感器，簡化系統設計，提高系統可靠性。

三、應用領域

• HEV/EV牽引逆變器
• 車載充電器和充電樁
• 電機驅動器
• 太陽能逆變器
• 工業電源供應

四、功能描述

• ?有源米勒鉗位?：防止因Miller效應引起的虛假導通，提高系統穩定性。
• ?過流和短路保護?：快速檢測并保護SiC MOSFETs和IGBTs免受損壞。
• ?UVLO保護?：輸入和輸出側電源均具備UVLO保護功能，確保在電壓不足時關閉輸出。
• ?隔離模擬到PWM傳感?：允許隔離的溫度檢測、高壓直流母線電壓檢測等，簡化系統設計。
• ?級關斷?：在過流和短路故障時，通過兩級關斷減少能量耗散，防止功率半導體過壓擊穿。

五、典型應用

文檔提供了UCC-Q在IGBT模塊半橋電路中的典型應用，包括設計要求、詳細設計步驟、輸入濾波器設計、PWM互鎖、FLT/RDY/RST/EN引腳電路、外部有源米勒鉗位、過流和短路保護、隔離模擬信號傳感等。

六、電源推薦

• ? 輸入供電電壓（VCC） ?：推薦范圍為V至.V，需使用≥μF的電容旁路至GND。
• ? 輸出供電電壓（VDD/VEE） ?：推薦范圍為V至V，需使用≥μF的電容旁路至COM。

七、布局指南

• ?驅動器位置?：應盡可能靠近功率半導體，以減少寄生電感。
• ?電容放置?：旁路電容應盡可能靠近VCC、VCC、VDD和VEE引腳放置。
• ?隔離保護?：確保隔離屏障區域的PCB設計不會降低隔離性能，避免在隔離屏障下方放置PCB走線或銅層。
• ?接地平面?：使用接地平面屏蔽輸入信號，減少高頻噪聲干擾。