igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術(shù)

UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 319 0

ISO5851 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT 和 MOSFET，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET IGBT 313 0

ISO5852S 5.7kVrms，2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S器件是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET，可提...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 灌電流 312 0

UCC21521 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 峰值電流 307 0

UCC27528-Q1 具有 5V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27528-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流，UCC...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 304 0

UCC27517A 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27517A 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流，UCC27517A...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 297 0

UCC27528 具有 5V UVLO、CMOS 輸入和啟用功能的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上 UCC2752x 可最大限...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 294 0

NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性

NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高魯棒性。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTT...

2025-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 IGBT 287 0

UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 285 0

UCC5880-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車級(jí) 20A 實(shí)時(shí)可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...

2025-05-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 279 0

ADuM4137具有故障檢測(cè)功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Co...

2025-05-30 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 276 0

ISO5451 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有主動(dòng)保護(hù)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5451 是一款 5.7kV RMS 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT 和 MOSFET，具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 隔離器 271 0

ISO5852S-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ，用于 IGBT 和 MOSFET 的增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有分離輸出 OUTH 和 ...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 單電源 271 0

UCC27712 帶互鎖的 1.8-A/2.8-A、620V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27712 是一款 620V 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。 ...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 270 0

UCC21759-Q1 汽車級(jí)3.0kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 266 0

UCC21710 5.7kVrms ±10A，單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，帶 OC 檢測(cè)，用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 263 0

UCC27523 具有 5V UVLO、反相輸入和使能功能的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開關(guān) 263 0

UCC21755-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 261 0

ADuM4136單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4136是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入...

2025-06-03 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 260 0

UCC27512-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流，UCC27512 能...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 260 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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