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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3068個 瀏覽：254403次 帖子：482個

      igbt技術

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      2024-01-17 標簽：安森美IGBT偏置電壓 1164 0

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      2023-03-16 標簽：電動汽車逆變器IGBT 1163 0

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      IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳...

      2023-12-26 標簽：電動汽車IGBT功率半導體 1157 0

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      IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.

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      EconoDUAL?3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG）和風電變流器，...

      2024-06-03 標簽：封裝變頻器IGBT 1156 0

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      IGBT IPM結合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性，其優點可以總結如下： 集成度高： IGBT IPM將多個IGBT...

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