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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性,它一般用于電場效應管(FET)和Insulated Gate Field Effect (IGBT)史v實...
2023-05-29 標簽:場效應管IGBT數(shù)字晶體管 1297 0
所謂分立器件,顧名思義就是由單個電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開關(guān)、小信號放...
IGBT作為最有性價比的開關(guān)器件,通常可以在UPS作為PFC來使用,讓電路的開關(guān)效率更佳,從而提升產(chǎn)品的質(zhì)量!因此如何選用一款參數(shù)適合、質(zhì)量優(yōu)良的IGB...
2023-11-07 標簽:UPSIGBT開關(guān)器件 1296 0
RGWxx65C系列IGBT在FRD+IGBT的車載充電器案例中,開關(guān)損耗降低67%
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67...
變頻器是應用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。** 變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們再分析一下球面結(jié)的雪崩電壓。首先對(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開...
功率半導體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導體器件應具有良好的靜態(tài)和動態(tài)特性,在截止狀態(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
新能源汽車核心部件IGBT模塊想要過AECQ101認證,需要要做哪些測試?
電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT模塊的作用 要了解IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時,電機控制器把動力電...
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