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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3068個 瀏覽：254411次 帖子：482個

      igbt技術

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      2023-06-11 標簽：IGBTMOS 1211 0

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于高頻電源領域。在高頻電源中，IGBT具有許多重要作用，以下是對這些作用的分析： 高效率：IG...

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      2025-04-09 標簽：電動汽車IGBTLittelfuse 1201 0

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      2023-08-30 標簽：變頻器IGBT變頻電機 1197 0

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      2023-07-18 標簽：新能源汽車IGBT三菱電機 1196 0

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      在討論了48伏特架構（“48伏特輕度混合動力系統的出現”）并描述了一些主要應用（“48伏特起動發電機”）后，我們需要深入研究這些新系統的電氣要求。在這篇...

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT發電機 1192 0

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      縮短充電時間是目前提升電動車使用體驗的關鍵。當補貼力度越來越弱，推力漸小，加速電動汽車產業化的解決方案要回歸到本質上

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