本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06
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不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結構的Si器件結耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動，增加了系統(tǒng)復雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
的基本物理學特性仍然在阻礙著其性能的進一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡單的拓撲結構應用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓撲發(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術在應用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
，因此碳化硅功率器件有低的結到環(huán)境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
上。 不過，隨著碳化硅價格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術器件的替代品和新設計的起點。 碳化硅的采用取決于應用，所以太陽能
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應，并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中，能促進綠色碳化硅氧化從100℃開始，隨著溫度的提高，氧化程度愈為明顯，到1400℃時為最大
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示。 圖（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導率大的特點，應用開關頻率可達到1MHz，在高頻應用中優(yōu)勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
產品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
和學習，現(xiàn)申請此開發(fā)板。項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究計劃：研究碳化硅功率器件的開關行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)中的驅動技術。預計成果：以上研究及測試總結報告
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等現(xiàn)代工業(yè)領域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
組件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關損耗，因此電源開關的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉換
2021-09-23 15:02:11
伺服系統(tǒng)國內外研究現(xiàn)狀如何？伺服系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是怎樣的？伺服系統(tǒng)相關技術是什么？
2021-09-30 07:29:16
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢組合，高頻開關減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
方便的設計和合理的價格等優(yōu)勢。在基礎設施方面同樣是這個趨勢，因為網絡供應商希望在滿足不斷增長的數(shù)據(jù)業(yè)務同時，能利用“綠色”基站降低系統(tǒng)功耗。
2019-07-05 08:13:58
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管。 當T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
的難點，在該碳化硅方案中采用了下面措施降低諧振電感溫升的問題：采用分段氣隙設計方法，降低氣隙漏磁與線包耦合帶來的高頻集膚效應問題，降低內層線包溫度。同時可以減小過大高頻漏磁帶來的EMI問題；電感和變壓器都
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
范圍的高性能硅方案，也處于實現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
，保證各大功率負載的正常運行。同時在汽車驅動模塊中還需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨與抗震等機械性能優(yōu)良，能保證其長久的使用壽命。根據(jù)時報，新能源汽車電源模塊至2020年市場空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應用，然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應用進行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
金航標kinghelm副總經理程玉潔介紹，金航標研發(fā)生產的信號連接器在儲能系統(tǒng)中的實際應用也很多。一個常規(guī)的儲能系統(tǒng)主要由電池模組、電池管理系統(tǒng)、匯流箱、變流器/逆變器、傳感器、電源開關這幾
2023-06-25 11:24:21
）和發(fā)射極可關斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點是反向恢復時間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 羅姆碳化硅產品介
2018-02-24 17:06:29
14 中，基本半導體總經理和巍巍博士發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業(yè)進一步發(fā)展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 
在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161072 億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領域主導企業(yè)，均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計劃投資擴大產能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機理，指出了加工過程中的關鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:551309 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49855 
當前，全球碳化硅產業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發(fā)方面占據(jù)領先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和技術發(fā)展趨勢進行簡要介紹。
2023-09-12 17:25:41667 本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應用前景和發(fā)展趨勢，以及如何通過技術創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應用的需求。其中，英飛凌作為國際品牌的代表，其第四代產品已經超過專利期，第七代產品受專利保密影響，國內
2023-10-28 09:59:52684 碳化硅（SiC）技術比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術更具優(yōu)勢，包括更高的開關頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)（ESS）中的應用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29393 碳化硅如何革新電氣化趨勢
2023-11-27 17:42:14204 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
，因此在電動汽車、風力發(fā)電、軌道交通等領域得到了廣泛應用。本文將對碳化硅功率器件的原理、特點、應用現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢進行詳細介紹。
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。
2024-01-03 10:13:43363 
應用以及發(fā)展趨勢。
一、碳化硅功率器件的優(yōu)勢
碳化硅功率器件具有高頻率、高效率、高耐壓和高耐流等優(yōu)勢，使得其在能源轉換、電動汽車、軌道交通、智能電網等領域具有廣泛的應用前景。碳化硅功率器件
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導體材料的功率電子設備，主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開關頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272 隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-02-21 09:27:13210 隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性，正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，引領著電力電子技術的發(fā)展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優(yōu)勢、應用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
2024-02-22 09:19:21170
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