新能源汽車電機控制器是控制新能源汽車核心動力的大腦，而新能源汽車的核心動力系統是電機控制器上由硅原料加工制作而成的IGBT半導體功率器件。 但是由于材料限制，傳統硅基功率器件在許多方面逐步逼近甚至已達到其材料的極限。以碳化硅為代表的半導體材料正以其卓越的性能吸引著廣大制造商，本文推薦基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H用于新能源汽車的電機控制器，該器件比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。

基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產，目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，申請兩百余項發明專利，產品性能達到國際先進水平。 基本半導體B2M065120H具有更低的比導通電阻，通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升，且具有非常低的開關損耗，B2M065120H器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%，反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

B2M065120H性能參數： ?RDS (on)：65mΩ ?Voltage：1200V ?最高工作結溫：175°C ?封裝：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7 基本半導體汽車級碳化硅功率模塊產線已實現全面量產，目前年產能達25萬只模塊；車規級碳化硅芯片產線已通線，達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。

編輯：黃飛