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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT
ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的...
2023-02-09 標簽:IGBT 1021 0
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術,具有最低的導通損耗和開關損耗,這可以使...
工業縫紉機在生活、生產應用是非常廣泛的,而電機驅動是工業縫紉機系統的中樞大腦。在產品研發中考慮設計以及電子元器件的優化來提升產品性能是非常重要的。
在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
設計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動,以減輕重量和設計復雜性。
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