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      標(biāo)簽　>　ICP

      ICP

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      icp技術(shù)

      等離子體光譜儀（ICP-OES）：原理與多領(lǐng)域應(yīng)用剖析

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      等離子體光譜儀（ICP-OES）憑借其高靈敏度、高分辨率以及能夠同時(shí)測(cè)定多種元素的顯著特點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。它以電感耦合等離子體（ICP）作為...

      2025-03-12 標(biāo)簽：設(shè)備光譜儀ICP 900 0

      干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

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      碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

      2025-01-22 標(biāo)簽：等離子體蝕刻ICP 1001 0

      ICP元素分析

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      ICP：電感耦合等離子體。可用“ICP”來代替“ICP-OES，和ICP-AES”。兩者都是指電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜，是一樣的。因?yàn)槎硇娮幽茏V的...

      2024-11-18 標(biāo)簽：光譜電感耦合ICP 850 0

      等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

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      刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

      2024-04-12 標(biāo)簽：晶體管CCPICP 7162 0

      什么是溝道通孔？溝道通孔刻蝕需要考慮哪些方面？

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      溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。

      2024-03-20 標(biāo)簽：晶圓ICP 1909 0

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      2023-12-25 標(biāo)簽：多晶硅MOSFET功率器件 3105 0

      用于汗液中鉀離子實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的腕帶式無線表皮生物傳感系統(tǒng)

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      紡織品生物電子學(xué)可以實(shí)現(xiàn)更為舒適的表皮接觸，在非侵入性生物傳感方面有著巨大的前景。

      2023-11-20 標(biāo)簽：傳感器電感耦合生物傳感 1043 0

      三維點(diǎn)云配準(zhǔn)算法原理及推導(dǎo)

      粗配準(zhǔn)就是再兩個(gè)點(diǎn)云還差得十萬八千里、完全不清楚兩個(gè)點(diǎn)云的相對(duì)位置關(guān)系的情況下，找到一個(gè)這兩個(gè)點(diǎn)云近似的旋轉(zhuǎn)平移矩陣（不一定很精確，但是已經(jīng)大概是對(duì)的了）。

      2023-09-25 標(biāo)簽：算法ICP 1389 0

      MySQL 5.7的數(shù)據(jù)庫優(yōu)化器還是這么簡(jiǎn)單？

      自發(fā)布了 INSERT 并發(fā)死鎖問題的文章，收到了多次死鎖問題的交流。

      2023-09-22 標(biāo)簽：SQLMYSQL數(shù)據(jù)庫ICP 824 0

      新唐開發(fā)平臺(tái)黃金3部曲：量產(chǎn)階段在線燒錄(Online ICP)

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      2023-08-09 標(biāo)簽：ICP燒錄新唐 1347 0

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      icp資訊

      絕對(duì)位置感知的機(jī)器人多關(guān)節(jié)模組高精度運(yùn)動(dòng)學(xué)解算與動(dòng)態(tài)誤差補(bǔ)償

      絕對(duì)位置感知的機(jī)器人多關(guān)節(jié)模組高精度運(yùn)動(dòng)學(xué)解算與動(dòng)態(tài)誤差補(bǔ)償

      絕對(duì)位置感知技術(shù)通過實(shí)時(shí)精確獲取關(guān)節(jié)位置，消除累計(jì)誤差并提升系統(tǒng)可靠性。結(jié)合改進(jìn)的ICP算法和智能補(bǔ)償策略，六軸機(jī)器人重復(fù)定位精度達(dá)±0.03mm，軌跡...

      2025-05-16 標(biāo)簽：機(jī)器人ICP 179 0

      半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

      ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、M...

      2025-05-06 標(biāo)簽：ICP刻蝕ICP刻蝕 606 0

      中微公司ICP雙臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star?取得亞埃級(jí)刻蝕精度

      近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度，?ICP雙反應(yīng)...

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      CID與CCD都屬于電荷轉(zhuǎn)移檢測(cè)器(ChargeTransferDecices，CTD)，與光電倍增管不同，光電倍增管讀出的是電流信號(hào)，而CTD則是一定...

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      聚丙烯腈纖維，在我國(guó)被命名為腈綸纖維，其以聚丙烯腈為主，或占其質(zhì)量分?jǐn)?shù)85%以上的丙烯腈和含羧基或磺酸基等可離子化的乙烯基化合物制成。具有高的強(qiáng)度性能、...

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      中微公司喜迎ICP刻蝕設(shè)備Primo nanova?系列第500臺(tái)付運(yùn)里程碑

      中微公司的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo nanova系列第500臺(tái)反應(yīng)腔順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制造商。

      2024-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM芯片電感耦合 979 0

      封閉壓力酸溶 ICP-MS法同時(shí)測(cè)定地質(zhì)樣品中 47個(gè)元素的評(píng)價(jià)

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      2024-01-31 標(biāo)簽：質(zhì)譜儀電感耦合ICP 1112 0

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      在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。

      2024-01-08 標(biāo)簽：SEM紅外探測(cè)器ICP 1691 0

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      ICP是電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀。根據(jù)檢測(cè)器的不同分為ICP—OES（電感耦合等離子發(fā)射光譜儀，也稱ICP-AES）和ICP-MS（電感耦合等離子質(zhì)譜...

      2023-09-22 標(biāo)簽：電感光譜儀ICP 3197 0

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      icp數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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