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分立器件在GaN充電器中的應用

隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰：在高頻狀態下，電磁...

2025-04-15 標簽：充電器電磁干擾氮化鎵 344 0

氮化鎵快充芯片U8766的主要特點

深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...

2025-03-20 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 342 0

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 341 0

UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數據手冊

UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實現高密度 AC-DC 電源，符合嚴格的全球能效標準，如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...

2025-03-24 標簽：可編程氮化鎵 GaN 341 0

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 340 0

GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數據手冊

GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產品屬于EcoGaN?系列，該系列產品通過更大程度地激發低導通電阻和高速開關性能，助力...

2025-03-07 標簽：GaN HEMT DFN封裝 337 0

TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器 mcu PWM 336 0

技術資料#LMG3526R050 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3...

2025-02-24 標簽：電源轉換器電壓檢測 GaN 335 0

LMG3622EVM-082：LMG3622用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準諧振反激式轉換器的評估模塊

LMG3622EVM-082 使用具有電流感應仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電（PD） ...

2025-02-24 標簽：反激式轉換器 GaN 電流感應 333 0

技術資料#LMG3411R150 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，...

2025-02-25 標簽：MOSFET 電子系統 GaN 332 0

BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 332 0

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。...

2025-05-15 標簽：半導體功率器件 SiC 329 0

PMP22244：具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設計

此參考設計是一款適用于 USB Type-C 應用的高密度 60W 115VAC 輸入電源，使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...

2025-02-24 標簽：電源 usb GaN 324 0

LMG3624EVM-081評估模塊：用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準諧振反激式轉換器

LMG3624EVM-081 使用具有電流感應仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 功率傳輸（PD...

2025-02-21 標簽：適配器反激式轉換器 FET 322 0

ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技術手冊

ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器，具有飽和輸出功率（P~OUT）~ 為 39.5 dBm，功率附加效率（PAE...

2025-03-10 標簽：放大器功率放大器 GaN 317 0

TPS7H5020 SEP 能夠驅動 MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數據手冊

TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器，具有集成柵極驅動器，可用于基于硅和氮化鎵（GaN）功率半導體的轉換器設計。T...

2025-03-19 標簽：PWM控制器 GaN 功率半導體 317 0

LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...

2025-02-21 標簽：FET GaN 柵極驅動器 315 0

30W氮化鎵電源IC U8608的工作原理

30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來...

2025-03-28 標簽：氮化鎵 GaN 電源IC 315 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是工業設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過...

2025-03-09 標簽：IC GaN 數據手冊 312 0

BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...

2025-03-09 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 312 0

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