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技術資料#LMG3410R050 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合,納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。
一些集成GaN FET的芯片能夠根據輸入電壓和負載的變化自動調整工作模式,這種自適應調整可以使芯片在不同的工作條件下都能實現恒功率輸出,同時保持較高的效...
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批...
報告內容包含: 動機 理論計算 氮化鎵材料參數 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)
F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
技術資料#LMG3526R030 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
氮化鎵(GaN)無刷直流電機驅動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵(GaN)功率IC在無刷直流(BLDC)電機驅動應用中的優勢展開研究,通過設計實例和實驗數據,論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
PMP22650:基于GaN的6.6kW雙向車載充電器參考設計
PMP22650 參考設計是一款 6.6kW 雙向車載充電器。該設計采用兩相圖騰柱 PFC 和具有同步整流功能的全橋 CLLLC 轉換器。CLLLC 利...
技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
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