LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中 集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè) 柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器,簡化了設計、減少了元件數(shù)量并 減小了布板空間。
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*附件:LMG2610 用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋.pdf
非對稱 GaN FET 電阻針對 ACF 工作條件進行了優(yōu) 化。可編程導通壓擺率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳 統(tǒng)的電流檢測電阻相比,低側(cè)電流檢測仿真可降低功 耗,并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接 地。
高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器消除了外部解決方案中出 現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自 舉 FET 沒有二極管正向壓降,可避免高側(cè)電源過充, 并且反向恢復電荷為零。
LMG2610 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間,支持轉(zhuǎn)換 器輕負載效率要求和突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和 過熱關斷。
LMG2610 的特性介紹:
650V GaN 功率 FET 半橋
170m? 低側(cè)和 248m? 高側(cè) GaN FET
具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)導通壓擺率控制的集成柵極驅(qū)動器
具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
低側(cè)/高側(cè)柵極驅(qū)動互鎖
高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器
智能開關自舉二極管功能
高側(cè)啟動:< 8us
低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護
通過 FLT 引腳報告實現(xiàn)過熱保護
AUX 空閑靜態(tài)電流:240μA
AUX 待機靜態(tài)電流:50μA
BST 空閑靜態(tài)電流:60μA
最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
具有雙散熱焊盤的 9mm x 7mm QFN 封裝
方框圖:
基本參數(shù):
應用領域:
? 有源鉗位反激式電源轉(zhuǎn)換器
? 交流/直流適配器和充電器
? 交流/直流 USB 墻壁插座電源
? 交流/直流輔助電源
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技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和電流感應

技術文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET

技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋,具有集成驅(qū)動器、保護和電流感應功能

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