LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器<。該LMG2610通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器,簡化了設計,減少了元件數量,并減少了電路板空間。
不對稱 GaN FET 電阻針對 ACF 工作條件進行了優化。可編程導通轉換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻器相比,低側電流檢測仿真降低了功率耗散,并允許將低側導熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。
*附件:LMG2610 用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋數據表.pdf
高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中發現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降,避免了對高側電源的過度充電,并且反向恢復電荷為零。
該 LMG2610 支持轉換器輕載效率要求和突發模式作,具有低靜態電流和快速啟動時間。保護功能包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過溫關斷。
特性
- 650V GaN 功率 FET 半橋
- 170mΩ 低側和 248mΩ 高側 GaN FET
- 具有低傳播延遲和可調導通轉換速率控制的集成柵極驅動器
- 具有高帶寬和高精度的電流感應仿真
- 低側/高側柵極驅動聯鎖
- 高側柵極驅動信號電平轉換器
- 智能開關自舉二極管功能
- 高側啟動 : < 8 us
- 低側/高側逐周期過流保護
- 帶 FLT 引腳報告的過溫保護
- AUX 空閑靜態電流:240 μA
- AUX 待機靜態電流:50 μA
- BST 空閑靜態電流:60 μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26 V
- 9x7 mm QFN 封裝,帶雙導熱墊
參數
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