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氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數高、開關頻率高、抗輻射能力強等優點。 其中,高開關頻率意味著應用電路...
技術資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術資料#LMG3411R070 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
如今,越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度,最高效率為 96.8%,最低 94.5%。此外,隨著開關頻率和死區時間的增加,基于硅的轉...
擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優勢,但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力:缺乏 P -類型。
技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
來源:電子工程專輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中,將更有優勢,比如氮化鎵基器件已成功規模應用于快充領域。...
技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...
傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現,為電力電子行業帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批...
報告內容包含: 動機 理論計算 氮化鎵材料參數 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)
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