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gan技術(shù)

DC/DC隔離電源助力綠色低碳新發(fā)展

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如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率?

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2023-02-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 794 0

技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng)

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2025-02-24 標(biāo)簽:電阻器封裝GaN 781 0

簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

充電器,已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...

2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體 777 0

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VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器,可在寬范圍工作電壓(9 V至2...

2023-06-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器usb意法半導(dǎo)體 772 0

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GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配...

2025-03-11 標(biāo)簽:GaNLTspicePspice模型 766 0

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GaN FET具有低端子電容,因而可快速切換。然而,當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時,功率環(huán)電感在高壓總線和開關(guān)節(jié)點處引入振鈴/過沖。這限制了...

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對緊湊但功能強大的電機的需求為設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...

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