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在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸,實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時,集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...
2023-02-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 794 0
技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng)
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
充電器,已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體 777 0
意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列高壓GAN轉(zhuǎn)換器簡介
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器,可在寬范圍工作電壓(9 V至2...
2023-06-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器usb意法半導(dǎo)體 772 0
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),直接帶隙約為3.4eV,目前已成為實現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性,在室溫下用濕法化...
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出,近年來第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
在GaN快充問世的前兩年,許多人還處在觀望狀態(tài),然而再經(jīng)過兩年之后,GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟,并席卷快充市場。GaN等第三代半導(dǎo)體的出現(xiàn),為各相...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計人員只能使用兩個N型MOSFE...
GaN FET具有低端子電容,因而可快速切換。然而,當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時,功率環(huán)電感在高壓總線和開關(guān)節(jié)點處引入振鈴/過沖。這限制了...
對緊湊但功能強大的電機的需求為設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...
如何通過PyTorch實現(xiàn)卷積GAN構(gòu)建?
人們曾經(jīng)認(rèn)為生成的任務(wù)是不可能的,并且被 GAN 的力量所震驚,因為傳統(tǒng)上,根本沒有任何事實可以比較我們生成的圖像。
基于GaN交錯式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略
論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
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