隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰：在高頻狀態下，電磁干擾EMI頻繁發生，這導致設備兼容性下降；器件間協同性也不夠充足，進而引發了效率波動及穩定性的風險。電路之中的這些問題猶如“暗礁”，稍微一不小心，便會對產品性能以及用戶體驗造成影響。

解決關鍵

GaN器件的高開關速度在縮小磁性元件體積的同時，也放大了寄生參數的負面影響。一是寄生電感振蕩，PCB布局中的線路電感與MOS管的輸出電容形成LC諧振，在100kHz以上頻段產生＞20dBμV/m的輻射噪聲，導致EMI測試超標。二是驅動信號失真，柵極寄生電容與驅動電阻的RC延遲，這種情況可能使開關波形出現振鈴，進而增加器件損耗，并降低可靠性。

解決寄生電感振蕩和驅動信號失真的問題，其關鍵需要在器件選型與電路設計同時進行：

1.寄生電感振蕩：切斷“振蕩源頭”

器件選型時，選低寄生電感封裝，如PDFN5X6封裝的HKTG48N10，通過裸露漏極焊盤設計，降低LC諧振強度；在電路設計上，縮短功率回路走線，優化PCB布局，從源頭削弱振蕩能量，再加吸收電路，可快速吸收電壓尖峰。

2.驅動信號失真：精準控制“信號延遲”

器件選型時，選低柵極電荷器件，如HKTQ80N03的電荷僅38nC，這樣能減少驅動電阻負擔，讓開關延遲時間更穩定；電路設計上，加上RC阻尼網絡，用來濾除高頻毛刺，把驅動信號振鈴壓降至5%以內，從而避免器件誤觸發。根據Ciss參數（如≤4000pF）來選擇驅動芯片，以確保充電電流足夠，可避免信號上升、下降沿拖尾。

就像“減少齒輪摩擦”那樣，選對低寄生參數的器件，如HKTG48N10、HKTQ80N03，搭配上簡潔的外圍電路吸收網絡以及阻尼電阻，如此一來，就能使高頻開關過程更“順暢”，既降低EMI噪聲，又減少損耗，讓GaN充電器高效又穩定。

MOSFET的高頻“默契”考驗：

在GaN充電器的高頻開關場景中，MOS管的寄生電容與電感如同看不見的“耦合器”。如若參數匹配不當，很容易引發振蕩及損耗。以具有低寄生電容的MOSFET為例，它能夠減少高頻開關時的能量“回彈”從而降低損耗，這樣就確保電流切換更為精準，恰如精密鐘表的齒輪，每一次轉動皆需嚴絲合縫。

選型方案僅供參考，詳細情況可通過底部銷售二維碼咨詢

當下，半導體行業對GaN配套分立器件的研發愈發深入。從材料優化到封裝創新，旨在降低高頻下的寄生參數所帶來的影響，提升器件在電路中的協同。這些努力正推動GaN充電器向更高頻率、更低損耗的方向不斷邁進。在分立器件制造領域，合科泰等廠商專注聚焦于高頻場景需求，不斷地對產品性能進行優化。通過精細的參數設計以及工藝把控，助力工程師應對GaN快充充電器的高頻挑戰。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發、設計、生產、銷售一體化的專業元器件高新技術及專精特新企業。

產品包括：

1、半導體封裝材料；2、被動元件，主要有：電阻、電容、電感；3、半導體分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、穩壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他集成電路等。

合科泰設有兩個智能生產制造中心：

1、中國華南地區的制造中心，位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區，建筑面積75000㎡，擁有先進設備及檢測儀器1000多臺，在當地配套集團物流配送中心，而東莞塘廈生產中心為目前生產基地；

2、中國西南地區的制造中心，位于四川省南充市順慶區科創中心，廠房面積35000㎡，擁有先進設備和檢測儀器儀表約2000臺；

2024年合科泰全面拓寬產品線，在四川南充成立三家子公司，分別是順芯半導體、南充安昊、南充晶科，主要負責研發生產半導體封裝材料；產品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。

合科泰堅持客戶至上、品質第一、創新驅動、以人為本的經營方針，為客戶提供一站式應用解決方案服務。同時合科泰提供半導體芯片和分立器件封裝測試OEM代工等綜合性業務。

合科泰在集成電路設計、芯片測試、分立器件工藝設計、可靠性實驗等方面積累了豐富核心技術儲備，擁有國家發明專利、實用新型專利等100多項。

合科泰通過了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認證。

產品廣泛應用于電源、照明、醫療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領域。