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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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近十年來,在高速成長的非易失性存儲器市場的推動下,業界一直在試圖利用新材料和新概念發明一種更好的存儲器技術,以替代閃存技術,更有效地縮小存儲器,提高存儲...
2017-03-27 標簽:fram 1016 0
歲末年初,由EEVIA主辦的第四屆電子技術媒體論壇在深圳舉辦,ADI、Analogix、Freescale、Fujitsu、集創等多家業界領先公司的專家...
2017-03-28 標簽:fram 913 0
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒有寫等待時間等優勢,能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長,芯片的擦寫次數為100萬次,比一般的...
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