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鐵電存儲器SF24C64對標MB85RC64性能、應用深度分析

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2025-02-25 09:40 ? 次閱讀

在電子設備的存儲領域,鐵電隨機存取存儲器(FRAM)其獨特的優勢廣泛應用于對數據的實時性和可靠性要求極高的場景中。本文主要詳細對比一下兩款熱門的鐵電存儲器芯片——SF24C64和MB85RC64,看看它們在性能、應用和成本等方面到底有何差異,幫助大家在實際項目中做出更合適的選擇。

SF24C64是一種FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,配置為8,192字x8位,使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。與SRAM不同,SF24C64無需使用數據備份電池即可保留數據。SF24C64在寫入存儲器(例如閃存或E2PROM)后不需要輪詢序列。

64Kb.png

SF24C64功能框圖

MB85RC64是一種FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,配置為8,192字x8位,使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。與SRAM不同,MB85RC64無需使用數據備份電池即可保留數據。MB85RC64使用的非易失性存儲單元的讀/寫持久性在數量上顯著優于閃存和E2PROM。MB85RC64在寫入存儲器(例如閃存或E2PROM)后不需要一個輪詢序列。

富士通64Kb.png

MB85RC64功能框圖

SF24C64和MB85RC64參數介紹一覽表:

64Kb.jpg

讀寫速度:對于存儲芯片來說,讀寫速度直接影響設備的運行效率。MB85RC64和SF24C64在讀寫速度方面都是較為出色的,能夠在短時間內完成數據的寫入操作,在一些對數據實時寫入要求較高的場景中具有一定優勢。

存儲容量與可靠性:兩款芯片的存儲容量均為64Kb ,能夠滿足大多數設備的存儲需求。在可靠性方面,兩款芯片都是采用先進的鐵電材料和制造工藝,具備較高的抗干擾能力,在復雜的電磁環境下也能穩定存儲數據。

工作電壓與功耗:MB85RC64是1.8V至3.6V,SF24C64是1.7至5.5V,工作電壓范圍較寬,能夠適應不同的電源系統,在一些需要兼容多種電源的設備中具有更好的適應性。

成本與選擇:SF24C64為國產芯片,在價格方面具有一定的優勢,尤其是在大規模采購的情況下,其成本優勢更加明顯。MB85RC64價格相對較高,適合對成本不太敏感的應用。

綜上所述,SF24C64和MB85RC64各有優劣,還需要綜合考慮產品的具體需求、應用場景以及預算等多方面因素。如有需求,國芯思辰可全程提供技術支持和穩定的供貨渠道。

注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。

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