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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)作為一種新興的非易失性存儲器技術,憑借其獨特的優勢在存儲市場中占據了一席之地。然而,與任何技...
4Mb的容量、54MBps的速度……是的,它創造了新的最高紀錄!
富士通電子元器件近日宣布成功開發具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速QSPI接口的全新FRAM產品MB85RQ4ML,此產品在同類競品中擁有最高密度和最...
2017-03-27 標簽:fram 2197 0
近幾年,FRAM(鐵電存儲器)比較火,特別是在三表的應用中。網上也有不少對FRAM技術的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網友總結的FRAM應用的心得...
2017-03-24 標簽:frammb85rc256v 2112 0
與傳統非易失性存儲器相比,FRAM的功耗要低很多,而且寫入速度更快。對于類似的寫入,FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EE...
2017-03-29 標簽:fram 1975 0
FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創新存儲技術串起關鍵數據存儲一攬子解決方案
《華爾街日報》前不久的一篇文章指出,近年來智能手機、PC、平板電腦等設備的進化并沒有以往那么快速,不過它們正以新的方式推進創新,硬件廠商更多針對特定任務...
傳統的閃存和EEPROM等存儲器是利用電荷注入來實現數據存儲的,而FRAM是利用外部電場產生極化來實現數據存儲的,因此它與傳統存儲器相比,不易α射線,x...
2017-03-28 標簽:fram 1843 0
目前具有突破性的存儲技術有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術。本文將分別介紹這些技術的特點、比較和研發進展。
FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特...
2017-03-28 標簽:fram 1711 0
在以往產品開發過程中,大量的數據采集對于工程師來說一直是件頭疼的事情。數據需要不斷地高速寫入,傳統的存儲技術如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速...
2017-03-29 標簽:fram 1649 0
FRAM還可在大多數汽車子系統中用于非易失性數據記錄,如智能安全氣囊、穩定控制、動力傳動機構、儀表盤儀表、電池管理、發動機控制和娛樂信息節目應用,且能夠...
月初,我們的高顏值男神級專家Eric在RFID大會上發表了據說很高大上的主題演講——大容量RFID讓工業自動化更智能。
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