內(nèi)存被視為一種必要的技術(shù)，然而工廠自動(dòng)化、自動(dòng)駕駛汽車、便攜式醫(yī)療設(shè)備、邊緣計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)傳感器等新應(yīng)用正在迫使性能要求發(fā)生變化。因此用于評(píng)估和選擇特定應(yīng)用程序內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)也發(fā)生了變化。

NAND、NOR和FRAM在各種應(yīng)用中都有不同的優(yōu)勢(shì)。由于這些解決方案中的每一個(gè)都有針對(duì)特定目標(biāo)應(yīng)用程序的獨(dú)特功能集，因此確定哪種類型的內(nèi)存解決方案可為所需應(yīng)用程序提供最佳性能和可靠性非常重要。數(shù)據(jù)中心、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)設(shè)備中的海量存儲(chǔ)需要最高的密度和最低的每比特成本，通常由NAND閃存支持。嵌入式計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼和事務(wù)數(shù)據(jù)，通常在NORFlash中可用。數(shù)據(jù)記錄器、傳感器和邊緣計(jì)算機(jī)在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)捕獲快速變化的數(shù)據(jù)使用專門的技術(shù)，例如鐵電RAM(FRAM)。

讓我們看看哪些內(nèi)存與這些工作負(fù)載相匹配：

NAND閃存
NAND FLASH常見(jiàn)于數(shù)據(jù)中心、云服務(wù)器和消費(fèi)設(shè)備中。它的高密度使其成為這些任務(wù)的理想選擇，并且由于更好的工藝和幾何收縮，技術(shù)得到了改進(jìn)。每GB成本繼續(xù)下降，讀/寫性能繼續(xù)表現(xiàn)良好。但是這種解決方案也存在一定的局限性：每個(gè)編程/擦除周期都會(huì)對(duì)單元的小尺寸造成壓力，從而降低其耐用性，并且尺寸也意味著大約10年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間低于其他內(nèi)存解決方案。

NOR閃存
NORFlash具有用于保留長(zhǎng)數(shù)據(jù)的大型存儲(chǔ)單元和字節(jié)可尋址架構(gòu)，因此非常適合用于引導(dǎo)代碼，其中包括就地執(zhí)行系統(tǒng)和事務(wù)數(shù)據(jù)。NOR可靠且易于使用，其最新改進(jìn)為故障安全操作提供功能安全和安全啟動(dòng)工具。對(duì)于汽車儀表盤和其他功能，NOR可以支持快速讀取和即時(shí)啟動(dòng)功能。但是NOR密度低于NAND。

FRAM內(nèi)存
FRAM非常適合需要通過(guò)使用較少的功率長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)捕獲數(shù)據(jù)的設(shè)備。存儲(chǔ)單元交替極性，使用最少的能量來(lái)延長(zhǎng)電池壽命并提供近乎無(wú)限的耐用性。FRAM還消除了能量或電荷泄漏問(wèn)題，因此數(shù)據(jù)保留至少可以持續(xù)100年。與普遍看法相反，F(xiàn)RAM不會(huì)被磁場(chǎng)干擾；然而它的密度無(wú)法支持編碼和海量存儲(chǔ)需求。

歸結(jié)為：選擇合適的內(nèi)存有助于確保產(chǎn)品的成功。NAND閃存非常適合云計(jì)算和個(gè)人電子產(chǎn)品中常見(jiàn)的海量存儲(chǔ)工作負(fù)載。相比之下，NORFlash和FRAM適用于嵌入式系統(tǒng)和邊緣設(shè)備，它們通常位于極端和偏遠(yuǎn)的環(huán)境中。隨著邊緣計(jì)算的發(fā)展，人工智能的進(jìn)步正在推動(dòng)新功能的發(fā)展，并提高對(duì)提高故障安全操作標(biāo)準(zhǔn)的需求，這反過(guò)來(lái)迫使制造商提供具有安全和安保功能的NORFlash和FRAM。內(nèi)存存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持.