英特格宣布 新一代光罩盒已獲ASML認(rèn)證

微電子產(chǎn)業(yè)特種化學(xué)品和材料解決方案廠商英特格 （Entegris） 宣布，新一代的光罩盒已獲得半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備商艾司摩爾 （ASML） 的認(rèn)證，可用于極紫...

2018-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUVASML 3796 0

三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝

隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進(jìn)半導(dǎo)體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導(dǎo)體公司就只剩下英特爾、臺積電及三星了，不過英...

2018-09-06 標(biāo)簽：三星電子FinFETEUV 3794 0

14納米工藝節(jié)點會給設(shè)計帶來哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國際物理系統(tǒng)研討會（ISPD）上專家表示：實現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會比原先想象的更困難；14納米節(jié)點給設(shè)計師帶來了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見本文...

2013-04-08 標(biāo)簽：3DFinFETEUV 3774 0

三星電子向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn) 擬用10年時間挑戰(zhàn)臺積電世界首位的寶座

境外媒體報道稱，韓國三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費巨額投資，確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)“EUV（極紫外光刻）”的量產(chǎn)體制，用1...

2019-11-13 標(biāo)簽：臺積電三星電子EUV 3760 0

日本首次批準(zhǔn)向韓國出口EUV光刻膠

7月1日，日本政府宣布將韓國移除對外貿(mào)易白名單，韓國進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板...

2019-08-11 標(biāo)簽：三星電子EUV光刻膠 3749 0

臺積電預(yù)計2019年量產(chǎn)7納米，將會是第一家采用EUV量產(chǎn)的晶圓代工業(yè)者

以應(yīng)用來看，盡管手機(jī)需求衰退第二季臺積電營收最大宗仍來自通訊領(lǐng)域，貢獻(xiàn)為48%，其次為工業(yè)(23%)、電腦(21%)與消費性電子(8%)。

2018-07-27 標(biāo)簽：臺積電納米euv 3748 0

臺積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點的首個時間表

持續(xù)同時朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺積電（TSMC），于美國硅谷舉行的年度技術(shù)研討會上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，并將有一個采用極紫外光微影（EUV）...

2018-05-11 標(biāo)簽：臺積電晶圓finfet 3715 0

DRAM開始進(jìn)入EUV時代？

根據(jù)國外媒體報導(dǎo)，曾表示目前制程技術(shù)還用不上EUV技術(shù)的各大DRAM廠在目前DRAM價格直直落，短期看不到止跌訊號的情況下，也頂不住生產(chǎn)成本的壓力，開始...

2019-06-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM三星電子 3711 0

2019年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)仍有成長表現(xiàn)

受到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)影響，2019年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑，占比超過3成的硅晶圓影響頗為嚴(yán)重，雖然硅晶圓在長約價格上變動不大，但現(xiàn)貨價格下跌與晶圓...

2019-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV 3693 0

ASML元件供應(yīng)商Prodrive工廠發(fā)生火災(zāi) 出貨時間將遭遞延

2018-12-04 標(biāo)簽：EUVASML 3690 0

3D傳感需求強(qiáng)勁 II-VIQ4營收創(chuàng)歷史新高

據(jù)麥姆斯咨詢報道，II-VI公司首次實現(xiàn)年銷售額突破10億美元，并且在其主要市場預(yù)計將在近階段繼續(xù)保持這種增長勢頭。

2018-08-13 標(biāo)簽：EUV3D傳感 3671 0

三星或從2019年6月份開始量產(chǎn)7納米EUV制程

在 7 納米制程節(jié)點上，雖然三星宣稱時程上領(lǐng)先臺積電，而且選擇直接進(jìn)入 EUV 技術(shù)時代，不過實際進(jìn)度卻非如此，也使得之前自家的 Exynos 9820...

2019-04-12 標(biāo)簽：三星電子EUV 3670 0

英特爾又一次處分艾司摩爾股票 持股比率降至3%以內(nèi)

當(dāng)年為了摩爾定律（Moore’s law）的延續(xù)，讓半導(dǎo)體先進(jìn)制程可以繼續(xù)發(fā)展下去，在荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備商艾司摩爾（ASML）發(fā)展光刻設(shè)備不順利，缺發(fā)資金之...

2018-10-15 標(biāo)簽：英特爾三星電子EUV 3667 0

美光DRAM技術(shù)路線解讀

美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉(zhuǎn)變，位密度的增長速度減慢了。但是，該公司加快了增長率，從1Znm到1αnm工藝節(jié)點尺寸增加了40％。

2020-12-02 標(biāo)簽：芯片DRAMEUV 3653 0

三星表示將在2019下半年量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程 2021年量產(chǎn)3納米GAA制程

為了減低近期存儲器降價帶來的沖擊，全球存儲器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，希望有機(jī)會進(jìn)一步拉近與臺積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面，根據(jù)三星高層表示，將...

2019-01-14 標(biāo)簽：三星電子EUV 3653 0

臺積電客戶訂單最多，將在2024年量產(chǎn)2nm工藝

隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產(chǎn)，臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶，盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單，不過整體來看臺積電在7nm節(jié)點...

2019-12-11 標(biāo)簽：臺積電euv 3653 0

臺積電基于GAA技術(shù)的2nm制程將會在2025年量產(chǎn)

臺積電2021 年12,000 種產(chǎn)品，其中采用了300 多種制程，這些都是生態(tài)系合作的結(jié)果，沒有生態(tài)系的支持，臺積電就沒辦法進(jìn)步。

2022-09-06 標(biāo)簽：臺積電芯片設(shè)計EUV 3644 0

英特爾預(yù)計10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開始進(jìn)入10納米時代，預(yù)計采用10納米產(chǎn)品將在6...

2019-05-14 標(biāo)簽：處理器英特爾EUV 3637 0