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2019年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)仍有成長表現(xiàn)

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 ? 作者:徐韶莆 ? 2019-11-01 15:22 ? 次閱讀

受到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)影響,2019年半導(dǎo)體前段制程材料需求普遍下滑,占比超過3成的硅晶圓影響頗為嚴(yán)重,雖然硅晶圓在長約價格上變動不大,但現(xiàn)貨價格下跌與晶圓廠為去化庫存而減少訂單,仍令硅晶圓廠商對2019年底看法持保守。

然而在各項(xiàng)材料需求普遍下滑之下,先進(jìn)制程發(fā)展仍有機(jī)會帶動特定材料抵抗劣勢,迎來成長表現(xiàn)。

▲全球半導(dǎo)體前段制程材料產(chǎn)值成長預(yù)估。數(shù)據(jù)來源:SEMI;拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理制圖

先進(jìn)制程帶動EUV光罩需求,并提高成熟制程光罩委外代工意愿

光罩產(chǎn)值約占半導(dǎo)體前段材料13%左右,占比雖不高卻是相當(dāng)重要的半導(dǎo)體材料,在黃光制程中扮演關(guān)鍵角色。

其中約有7成由半導(dǎo)體晶圓制造廠自行制作,以配合Fabless廠商在芯片設(shè)計(jì)上的便利性,掌控品管與時程;而剩下約3成則為委外代工模式,主要廠商有Advance Reproductions Corporation、Toppan Photomasks、Photronics、Dai Nippon Printing(DNP)、Hoya Corporation、Taiwan Mask Corporation、Nippon Filcon等,以日商居多。

過去由于光罩開發(fā)與維護(hù)成本很高,以及技術(shù)上的諸多要求,委外情形不高,但在先進(jìn)制程發(fā)展下,為做良好的營運(yùn)成本控管,逐漸有越來越多成熟制程所需的光罩做委外代工模式出現(xiàn),也帶動光罩產(chǎn)業(yè)的市場需求增加。

例如美國晶圓代工大廠GlobalFoundries在2019年8月宣布將光罩業(yè)務(wù)出售給日本光罩大廠Toppan,并簽下與Toppan為期數(shù)年的光罩供應(yīng)合約,為獲得更優(yōu)化的營運(yùn)成本管控,也增加光罩委外代工例子。而大陸地區(qū)在政策扶持下,晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展迅速,且多以成熟制程產(chǎn)品為主,是光罩廠商積極開拓切入的市場。

另一方面,先進(jìn)制程中EUV出現(xiàn),也新增高端光罩需求,各大廠皆有對應(yīng)EUV所需的各樣光罩產(chǎn)品吸引客戶采用,因此讓光罩市場產(chǎn)值在2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)下仍能維持正成長表現(xiàn)。而2020年先進(jìn)制程與成熟制程需求將持續(xù)增加,預(yù)估帶動光罩產(chǎn)值超過3.5%成長幅度。

值得一提的是,EUV光罩盒受惠EUV技術(shù)的需求增加,加上要通過唯一的設(shè)備商ASML認(rèn)證費(fèi)時許久,重要性不言而喻。

目前市場上廠商僅有兩家,即美商Entegris與臺系廠商家登;其中臺系廠商家登經(jīng)長久布局,在EUV技術(shù)初期就積極與ASML合作驗(yàn)證,也因此成為市場上的主要供應(yīng)商之一。其EUV光罩盒產(chǎn)品已成功打入臺積電與Intel供應(yīng)鏈,受惠臺積電在7nm制程占比極高下,未來動能可期。

WET Chemical先進(jìn)制程需求廣泛,力抗產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)仍有成長表現(xiàn)

另一項(xiàng)有成長表現(xiàn)的是WET Chemical部份,產(chǎn)值在半導(dǎo)體前段材料約占6~7%左右。雖然占比不高但仍與Gases同為重要材料,在半導(dǎo)體制程中許多階段做使用,例如蝕刻、清洗等屬于既定消耗性材料,本就有一定比例的需求量。

甚至在先進(jìn)制程發(fā)展上,許多WET Chemical在種類與量的使用上不斷調(diào)整,推動化學(xué)藥液的多元需求,縱使2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)導(dǎo)致芯片數(shù)量衰退,WET Chemical仍能維持不錯的成長表現(xiàn)。供應(yīng)鏈區(qū)域分布上以美國、德國、日本與韓國為主。

WET Chemical的必要性在設(shè)備裝機(jī)與調(diào)機(jī)尤其明顯。由于新機(jī)臺的管路表面都會有制造過程殘留的各種物質(zhì),制程用潔凈水無法完全去除,必須用化學(xué)藥品腐蝕掉,并讓與化學(xué)藥品常期接觸的部位保持表面性質(zhì)趨向穩(wěn)定,不易起化學(xué)變化,也因此在新裝機(jī)期間會大量用化學(xué)藥品「清洗」機(jī)臺管路與桶槽,以達(dá)到接觸面化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,不會析出顆粒影響機(jī)臺潔凈度。

另一方面,受到先進(jìn)制程的發(fā)展推動,對WET Chemical種類也有新興需求增加,例如在線寬持續(xù)微縮下,F(xiàn)inFET晶體管因3D結(jié)構(gòu)的閘極寬度極小,在化學(xué)藥液處理完后的旋轉(zhuǎn)干燥過程會因物理作用力發(fā)生「倒塌」的缺陷產(chǎn)生,因此大多會在干燥過程引入異丙醇(IPA),利用Marangoni效應(yīng)去除水分達(dá)到干燥效果。諸如此類的研究也是推升WET Chemical在需求上增加的主要推力。

從2020年估計(jì)來看,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求正常增加的趨勢下,WET Chemical會有相當(dāng)幅度的成長,不只是在既有的消耗量需求,晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)建需要更多量的化學(xué)藥液,未來成長幅度將十分可期,是后續(xù)觀察重點(diǎn)。
責(zé)任編輯:wv

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