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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè)

碳化硅資訊

瀚天天成IPO獲受理

瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司是一家國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，專注于碳化硅半導(dǎo)體外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司成立于2011年3月，總部位于廈門火炬高新區(qū)。

2024-01-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅瀚天天成 1182 0

碳化硅功率模塊：未來(lái)電力電子行業(yè)的變革者

功率模塊有好幾種類型，常見(jiàn)的比如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和碳化硅（SiC）功率模塊。IGBT適合于高電...

2024-03-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率模塊碳化硅 1182 0

為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案

BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H（即車輛到家庭）使用智能電動(dòng)汽車充電和雙向（雙向）...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1181 0

碳化硅器件挑戰(zhàn)現(xiàn)有封裝技術(shù)

共讀好書曹建武羅寧勝摘要：碳化硅（ SiC ）器件的新特性和移動(dòng)應(yīng)用的功率密度要求給功率器件的封裝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。現(xiàn)有功率器件的封裝技術(shù)...

2024-06-23 標(biāo)簽：封裝功率密度碳化硅 1181 0

國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體新品NS62m功率模塊上線

在“雙碳”目標(biāo)背景下，我國(guó)電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)型，儲(chǔ)能作為靈活調(diào)節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔(dān)重任。而儲(chǔ)能逆變器是儲(chǔ)能系統(tǒng)中關(guān)鍵的一環(huán)...

2022-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅國(guó)星光電 1180 0

英飛凌簽約GT Advanced Technologies，擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)

英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。

2020-11-13 標(biāo)簽：英飛凌光伏逆變器碳化硅 1179 0

228億！三安光電與意法半導(dǎo)體投建8英寸SiC廠

據(jù)悉，該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元（約228.2億人民幣），其中未來(lái)5年的資本支出約為24億美元，資金來(lái)源包括來(lái)自意法半導(dǎo)體和三安光電的資金投...

2023-06-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體碳化硅三安光電 1179 0

納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌

納微半導(dǎo)體，作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司，氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正...

2024-01-30 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅納微半導(dǎo)體 1179 0

布局全球，碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及方案商派恩杰半導(dǎo)體再獲數(shù)千萬(wàn)Pre-A輪融資

派恩杰官方消息稱，繼創(chuàng)東方投資、天際資本后再獲湖杉資本數(shù)千萬(wàn)Pre-A輪融資，本次融資資金將用于更高電壓平臺(tái)功率器件產(chǎn)品的研發(fā)和全球市場(chǎng)的布局。

2021-09-13 標(biāo)簽：晶閘管功率器件碳化硅 1177 0

大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期，推升了對(duì)SiC襯底產(chǎn)能的需求。

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1176 0

國(guó)內(nèi)首家打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，三安集成完成MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造

隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃浮出水面，第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，2020年有8家企業(yè)計(jì)劃投資總計(jì)超過(guò)430億元，碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)...

2020-12-03 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅三安集成 1176 0

三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。

2023-11-15 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 功率半導(dǎo)體 1176 0

碳化硅是新能源汽車800V高壓快充標(biāo)配？

根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年 SiC 市場(chǎng)份額前五廠家均為歐美日企業(yè)，合計(jì)占據(jù) 93%的市場(chǎng)份額，其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 4...

2023-12-22 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT SiC 1175 0

用于先進(jìn)芯片生產(chǎn)的碳化硅陶瓷基板應(yīng)用

隨著用于半導(dǎo)體制造的光刻系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜，組件供應(yīng)商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當(dāng)前和未來(lái)的需求。基于深度內(nèi)部研發(fā)，由高性能SiSiC制成...

2022-12-01 標(biāo)簽：芯片碳化硅陶瓷基板 1175 0

邁出邁向更可持續(xù)未來(lái)的第一步

更綠色的未來(lái)已成為我們這個(gè)星球最重要的目標(biāo)之一。隨著全球人口的增加，對(duì)新能源方法的需求正在推動(dòng)更具可持續(xù)性。為了減緩氣候變化的影響，我們必須將排放量減少...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅可再生能源 1174 0

濰柴動(dòng)力發(fā)布SiC項(xiàng)目招標(biāo)，SiC進(jìn)軍已指日可待

值得關(guān)注的是，根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫(kù)的統(tǒng)計(jì)，2020年全球工程機(jī)械市場(chǎng)規(guī)模約為 1363 億美元，預(yù)計(jì)2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 2346 億美元...

2023-12-26 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 1174 0

世紀(jì)金光6-8英寸SiC單晶襯底項(xiàng)目簽約包頭

據(jù)科創(chuàng)包頭透露，該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí)，每...

2023-10-16 標(biāo)簽：芯片單晶碳化硅 1173 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1172 0

Vishay亮相2024慕尼黑上海電子展

7 月 8 日至 10 日，2024 年慕尼黑上海電子展 ( electronica China ) 在上海新國(guó)際博覽中心召開(kāi)。開(kāi)展當(dāng)天，Vishay ...

2024-07-08 標(biāo)簽：MOSFET Vishay 碳化硅 1172 0

碳化硅MOSFET為電力系統(tǒng)帶來(lái)顛覆性突破

電力電子行業(yè)在 80 年代初期向前邁出了一大步，當(dāng)時(shí)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)的引入使創(chuàng)新型電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)成為可能，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高...

2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 1172 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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