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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Microchip推出業界領先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,實現更高的效率與可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管(SBD)擴大了設計人員對交通、能源和工業系統中的高壓電力電子產品的選擇范圍。
意法半導體CEO:計劃2023年投資40億美元增加碳化硅產能
技術方面,意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術合作達成協議。意法半導體希望通過此次合作,使其未來200mm晶圓生產可以采用Soitec的Smar...
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其...
Wolfspeed 碳化硅(SiC)半導體于 2017 年就已經在捷豹 TCS Formula E(國際汽聯電動方程式世界錦標賽)賽車隊開發的動力總成中...
長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗,具備全面的功率產品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
CISSOID新型柵極驅動器板亮相紐倫堡PCIM 2019展會
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT...
碳化硅市場價格戰即將打響,供應鏈廠商普遍認為價格處于下降趨勢
環球晶圓(GlobalWafers)首席執行官徐秀蘭指出,碳化硅降價源于兩方面,即全球六寸晶圓供應增加以及電動汽車需求減緩。此外,山東天岳先進(SICC...
納微正式發布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產品系列
? 具備行業領先的溫控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運行和快速開關,為AI數據中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。 加利福尼亞...
2022年9月6日-7日,瑞能半導體首席執行官Markus Mosen先生將出席第九屆中國國際半導體高管峰會(以下簡稱:CISES)。此番,Markus...
隨著雙向儲能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢發展,SiC器件在雙向PCS中開始應用。SiC的PCS主電路拓撲采用可以有效降低并網電流諧波的T型三...
致瞻科技成立于2019年,是一家將重點放在碳化硅功率模塊和先進電驅系統的企業。核心研究開發成員是畢業于清華大學、浙江大學、南部航空、華科等大學的世界50...
Maxim發布隔離式碳化硅柵極驅動器,提供業界最佳電源效率、有效延長系統運行時間
MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統能耗降低30%,有效延長系統運行時間
功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類,IGBT器件是開關器件,優勢在于體積小、壽命長、可靠性高,現在市場上使用程度最大的是第4代器件,全球龍頭企業為...
今日,ITECH宣布IT7800系列大功率可編程交流電源、IT7900系列回饋式電網模擬器、IT7900P系列高性能回饋式電網模擬器和IT8200 系列...
三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設新的SiC(碳化硅)晶圓廠。
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