女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瑞能新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更快的充電速度

瑞能半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:瑞能半導(dǎo)體 ? 作者:瑞能半導(dǎo)體 ? 2022-08-23 14:09 ? 次閱讀

2022年9月6日-7日,瑞能半導(dǎo)體首席執(zhí)行官M(fèi)arkus Mosen先生將出席第九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)(以下簡(jiǎn)稱:CISES)。此番,Markus Mosen受邀出席在上海盛大舉辦的CISES,并將作為演講者分享行業(yè)訊息。

作為一個(gè)半導(dǎo)體制造商和設(shè)備制造商聚集的平臺(tái),CISES專注于高層管理,邀請(qǐng)行業(yè)領(lǐng)袖出席,并分享在迅速創(chuàng)新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的見地。CISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機(jī)會(huì),增強(qiáng)半導(dǎo)體制造業(yè),促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

峰會(huì)前瞻

新碳化硅MOSFET

正在打造更加綠色的未來(lái)

現(xiàn)如今,新能源汽車正逐漸走進(jìn)大眾的生活當(dāng)中,推動(dòng)世界范圍內(nèi)的節(jié)能減排,緩解日益嚴(yán)重的溫室效應(yīng)。

新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品采用了更多創(chuàng)新結(jié)構(gòu)和領(lǐng)先工藝,從而實(shí)現(xiàn)更好的比導(dǎo)通電阻,這些功率器件正在幫助電動(dòng)汽車達(dá)到更高的續(xù)航里程,實(shí)現(xiàn)更快的充電速度,并且進(jìn)一步降低車身重量。

Markus Mosen認(rèn)為,隨著推出越來(lái)越快地采用基于碳化硅的解決方案,綠色未來(lái)會(huì)近在眼前。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8252

    瀏覽量

    218474
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3016

    瀏覽量

    50055
  • 瑞能半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    61

    瀏覽量

    6523

原文標(biāo)題:【活動(dòng)預(yù)告】瑞能CEO Markus Mosen先生將出席中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)

文章出處:【微信號(hào):weensemi,微信公眾號(hào):瑞能半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

    近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面
    的頭像 發(fā)表于 05-09 11:45 ?289次閱讀
    基本半導(dǎo)體推出<b class='flag-5'>新一代</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、
    發(fā)表于 04-08 16:00

    比亞迪推出全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片

    在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬(wàn)轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首個(gè)電動(dòng)車全域千伏架構(gòu),刷新多項(xiàng)全球之最。
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:10 ?594次閱讀

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問(wèn)題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?546次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>替代硅基IGBT常見問(wèn)題Q&amp;A

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾印T谶@背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?604次閱讀

    Wolfspeed第4碳化硅技術(shù)解析

    本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?857次閱讀
    Wolfspeed第4<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)解析

    BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

    變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:41 ?313次閱讀
    BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>線概述

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    功率器件的開通速度。- 使用米勒鉗位功能。03 IGBT與SiC MOSFET對(duì)于米勒鉗位的需求以下表格為硅IGBT/ MOSFET碳化硅MOSF
    發(fā)表于 01-04 12:30

    重磅!英飛凌發(fā)布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和數(shù)字化目標(biāo)達(dá)成

    7月8日到10日,在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi),英飛凌展示了第三半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺(tái)的時(shí)候,看到如下方案:新一代碳化硅技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:10 ?3857次閱讀
    重磅!英飛凌發(fā)布<b class='flag-5'>新一代</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>器件方案,助力低<b class='flag-5'>碳化</b>和數(shù)字化目標(biāo)達(dá)成

    安森美推出最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET

    。為加速達(dá)成這個(gè)全球轉(zhuǎn)型目標(biāo),安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET,并計(jì)劃將在2030年前推出多產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 07-19 10:43 ?962次閱讀

    驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

    相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn),越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:48 ?3186次閱讀
    驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>使用米勒鉗位功能的必要性分析

    第二SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff

    第二SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:53 ?926次閱讀
    第二<b class='flag-5'>代</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>關(guān)斷損耗Eoff