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標(biāo)簽 > 硅晶圓

硅晶圓百科

  硅晶圓(wafer)用來(lái)制造集成電路(IC)的載板,在上面布滿晶粒,將晶粒切開后得到芯片,將芯片經(jīng)過(guò)封裝測(cè)試,制成集成電路。硅晶圓尺寸是它的直徑,目前較常見的有6、8、12英寸。

  硅晶圓的尺寸越大越貴,生產(chǎn)成本愈高,但能額外產(chǎn)出的芯片數(shù)量是好幾倍,例如:12寸晶圓的生產(chǎn)成本大約是6寸晶圓的「2倍」,但是12寸晶圓的「面積」是6寸晶圓的「4倍」(邊長(zhǎng)2倍,面積4倍),最后得到的芯片數(shù)目是4倍,大的硅晶圓成本雖然較高,但單位成本是降低的,一片硅晶圓可以產(chǎn)生上百或上千個(gè)相同的芯片,但大的硅晶圓制程技術(shù)與環(huán)境設(shè)備要求,也相對(duì)來(lái)說(shuō)更為嚴(yán)苛。

  我們可以將晶片制造比擬成用樂(lè)高積木蓋房子,藉由一層又一層的堆疊,完成自己期望的造型(也就是各式晶片)。 然而,如果沒(méi)有良好的地基,蓋出來(lái)的房子就會(huì)歪來(lái)歪去,不合自己所意,為了做出完美的房子,便需要一個(gè)平穩(wěn)的基板。

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硅晶圓知識(shí)

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硅晶圓技術(shù)

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

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過(guò)度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會(huì)導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過(guò)程中暴露于OH離子時(shí),硅表面可能會(huì)變得粗糙。

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硅晶圓的制備流程

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本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。

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芯片制造時(shí)長(zhǎng)揭秘:從原料到成品的完整周期

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整個(gè)芯片制造的流程可以分為三大步驟:芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試

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薄膜和厚膜的區(qū)別以及不同的制備工藝介紹

相對(duì)于塊體材料,膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區(qū)分,主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μm,厚膜一般為2μm至25μm,但厚度并不是區(qū)分薄膜...

2024-02-28 標(biāo)簽:薄膜硅晶圓PCB基板 4156 0

什么是LED倒裝芯片?LED倒裝芯片制備流程

LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過(guò)晶體生長(zhǎng)技術(shù),在高溫高壓的條件下生長(zhǎng)出具有所需電特性的半導(dǎo)體材料,如氮化鎵(GaN)。

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如何確定芯片的方向 最簡(jiǎn)單的芯片原理

 最簡(jiǎn)單的芯片原理可以使用邏輯門芯片來(lái)說(shuō)明。邏輯門芯片是由幾個(gè)晶體管組成的電路,用于執(zhí)行基本的邏輯運(yùn)算。   最簡(jiǎn)單的邏輯門芯片包括與門(AND ...

2024-01-25 標(biāo)簽:芯片邏輯門硅晶圓 1.8萬(wàn) 0

硅的電阻率和方阻測(cè)定和使用問(wèn)題解析

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在MEMS器件設(shè)計(jì)過(guò)程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成,硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。

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硅晶圓上直接生長(zhǎng)石墨烯實(shí)現(xiàn)高靈敏生化傳感平臺(tái)

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具有優(yōu)異電學(xué)特性的石墨烯、二硫化鉬等二維材料因其所有原子裸露在外,對(duì)外界環(huán)境的變化極為敏感,利用這些特性,目前已成功開發(fā)石墨烯霍爾傳感器并應(yīng)用于航空航天...

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硅晶圓資訊

日本Sumco宮崎工廠硅晶圓計(jì)劃停產(chǎn)

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全球硅晶圓市場(chǎng)2024年末迎來(lái)復(fù)蘇

根據(jù)SEMI SMG在其硅晶圓行業(yè)年終分析報(bào)告中的最新數(shù)據(jù),全球硅晶圓市場(chǎng)在經(jīng)歷了一段時(shí)間的行業(yè)下行周期后,于2024年下半年開始呈現(xiàn)復(fù)蘇跡象。 報(bào)告指...

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近日,日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略決策,計(jì)劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利...

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2024年全球硅晶圓出貨量同比下降2.7%

據(jù)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報(bào)告顯示,2024年全球硅晶圓出貨量預(yù)計(jì)將出現(xiàn)2.7%的同比下降,總量達(dá)到122.66億平...

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? 本文詳細(xì)介紹了硅作為半導(dǎo)體材料具有多方面的優(yōu)勢(shì),包括良好的半導(dǎo)體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成本、成熟的加工工藝和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。這些因素使得硅成...

2025-01-06 標(biāo)簽:芯片硅晶圓 714 0

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環(huán)球晶獲4.06億美元補(bǔ)助,用于12英寸先進(jìn)制程硅晶圓等擴(kuò)產(chǎn)

12月18日,半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶(GlobalWafers)宣布,其美國(guó)子公司GlobalWafers America(GWA)及MEMC LLC(M...

2024-12-19 標(biāo)簽:硅晶圓先進(jìn)制程 457 0

一文看懂SOI的重要性

一文看懂SOI的重要性

絕緣體上硅(SOI)技術(shù)的基本思想是通過(guò)將承載電子器件的晶片表面的薄層與用作機(jī)械支撐的塊晶片電絕緣來(lái)解決器件和襯底之間的寄生效應(yīng)。 ? 大多數(shù)微電子器件...

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2024年全球硅晶圓市場(chǎng)回暖:SEMI預(yù)測(cè)出貨量將穩(wěn)步增長(zhǎng)

2024年全球硅晶圓市場(chǎng)回暖:SEMI預(yù)測(cè)出貨量將穩(wěn)步增長(zhǎng)

近日,半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告,展現(xiàn)出全球硅晶圓市場(chǎng)的積極信號(hào)。報(bào)告指出,經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后,今年全球...

2024-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅晶圓SEMI 565 0

2024年第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長(zhǎng)7.1%

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)近日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)揭示了半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)的強(qiáng)勁復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。報(bào)告顯示,2024年第二季度,全球硅晶圓(半導(dǎo)體硅片)出貨面積達(dá)到了...

2024-08-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅晶圓硅片 683 0

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硅晶圓數(shù)據(jù)手冊(cè)

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