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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，助力智能電網高效發展
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ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
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恒功率電源芯片具有穩壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應用場景，如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯寶帶恒功率集成高壓...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器數據手冊
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TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 ...
當 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個 R 的強度幾乎減半DS?品質因數和體二極...
在輕載和空載狀態下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統進入打嗝模式工作,，停止開關動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，...
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