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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池...
ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術手冊
ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內(nèi)，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，以其高效、節(jié)能的特性，為智能電網(wǎng)提供突破性支持。 該方案采用AC-DC無橋...
同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時間，使項目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC，工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益，+44.5 dBm飽和輸出...
單片雙向開關(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術具有獨特優(yōu)勢，可有效...
谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技...
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。
當設備溫度超過設定閾值時，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設備功率或關閉設備，以防止過熱，這對于保護設備內(nèi)部組件和延長設備壽命至關重要。在檢測到溫度升高時...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設備中構(gòu)建起全方位的安...
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。
CS管腳通常用于采樣電感電流，實現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現(xiàn)過流保護功能。?此外，CS管腳還可以用于設定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連...
氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機功耗。具體來...
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠...
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