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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用...
應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結
德州儀器(TI)提供的一種新的驅動器集成氮化鎵(GaN)功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現,該封裝尺寸為12mm x ...
寬電壓范圍是指設備或系統能夠在較寬的電壓區間內正常工作的能力。這意味著,當電網電壓或供電電壓在一定范圍內波動時,具備寬電壓范圍的設備仍能保持穩定運行,不...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
芯片?恒功率控制,意味著無論負載變化如何,系統都能保持恒定的輸出功率,確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時,主動降功率功能會啟動...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數據手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實現高密度 AC-DC 電源,符合嚴格的全球能效標準,如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關斷狀態。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態。
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
TIDA-010236:適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設計
此參考設計是一款 4kW 連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC),具有頂部冷卻的氮化鎵 (GaN) 子板和TMS320F280025C...
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計
此參考設計是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉換組件都已集成,...
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數據手冊
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內提供43dBm...
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