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氮化鎵電源IC U8722AH產(chǎn)品概述

開關(guān)電源芯片 ? 來源:開關(guān)電源芯片 ? 2025-03-11 16:41 ? 次閱讀

寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著,當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí),具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行,不會(huì)因電壓的波動(dòng)而損壞或影響性能。這種特性對于保障設(shè)備的持續(xù)、穩(wěn)定工作至關(guān)重要!

針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ic U8722AH集成了Boost供電技術(shù),僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可,在輸出電壓較低時(shí),Boost電路啟動(dòng)工作,維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),當(dāng)輸出電壓升高,輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí),Boost電路停止工作,VDD由輔助繞組供電。

氮化鎵電源ic U8722AH采用SOP-7封裝,腳位如下:

1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動(dòng)供電管腳

氮化鎵電源ic U8722AH主要特性:

1.集成700V E-GaN

2.集成高壓啟動(dòng)功能

3.超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗<30mW

4.谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)

5.集成EMI優(yōu)化技術(shù)

6.驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7.集成 Boost 供電電路

8.集成完備的保護(hù)功能:VDD 過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過載保護(hù) (OLP)、過流保護(hù)(SOCP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護(hù)。

氮化鎵電源ic U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。

穩(wěn)定的電壓是保障電子設(shè)備正常工作的基礎(chǔ)。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源ic U8722AH,集成高壓啟動(dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗,提供穩(wěn)定的電壓輸出,降低電子設(shè)備受電壓波動(dòng)的影響。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:穩(wěn)定運(yùn)行中的HSOP-7封裝氮化鎵電源ic U8722AH

文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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