同一套電源芯片方案,可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節(jié)省成本,更是大大縮短了開發(fā)時(shí)間,使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B,輸出可選5V、9V、12V,注重空間布局和兼容性問題,通過了認(rèn)證測(cè)試,低耗高效,值得推薦!
01同步整流芯片 | U7612B
同步整流芯片U7612B是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前,芯片處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后,芯片啟動(dòng),內(nèi)部控制電路開始工作,副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF(典型值3.3V)后,芯片關(guān)機(jī),副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。
同步整流芯片U7612B的PCB設(shè)計(jì)建議:
1) 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2) VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容,盡量緊靠IC,Loop2的面積盡可能小。
3) R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路,RC吸收回路Loop3的面積可能小。
02氮化鎵電源芯片| U8723AH
氮化鎵電源芯片U8723AH引腳說明:
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳
5 GND P 芯片參考地
6 VDD P 芯片供電管腳
7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
氮化鎵電源芯片U8723AH+同步整流芯片U7612B組合方案,可顯著降低空載待機(jī)功耗,和大幅提升滿載和輕載效率,同時(shí)縮短市場(chǎng)投放時(shí)間和減少物料清單成本,適用于快速充電器、筆記本電源適配器、小功率電動(dòng)工具充電器、服務(wù)器輔助電源等多種應(yīng)用場(chǎng)景!
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