氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、輸入過(guò)壓保護(hù)(LOVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開(kāi)路保護(hù)等。

氮化鎵快充芯片U8722SP管腳說(shuō)明：

1 GND P 芯片參考地

2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

7 NC /

8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

氮化鎵快充芯片U8722SP集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722SP通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如圖所示，通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

氮化鎵快充芯片U8722SP系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開(kāi)通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。U8722SP+同步整流芯片-U7715A+協(xié)議XPD317單壓認(rèn)證款氮化鎵電源應(yīng)用方案，正火熱上市中，歡迎前來(lái)咨詢(xún)，索取相關(guān)資料！