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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      文章：83個 瀏覽：10614次 帖子：1個

      氧化鎵資訊

      什么是第四代半導體？

      第四代半導體我們其實叫超禁帶半導體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產生本征激發所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄...

      2022-08-22 標簽：半導體功率器件氧化鎵 1.8萬 0

      氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

      氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

      　　與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開...

      2012-04-18 標簽：SiC功率元件氧化鎵 9359 0

      志在替代第三代半導體材料，氧化鎵目前有沒有這個實力？

      韓國政府在近日宣稱將加大非硅功率半導體在本土的發展，用于電動汽車和其他對功效和耐用性要求較高的技術。該計劃將支持5種以上的半導體在2025年實現本土商業...

      2021-04-10 標簽：半導體氧化鎵 8591 0

      中國領跑第四代半導體材料，氧化鎵專利居全球首位

      中國領跑第四代半導體材料，氧化鎵專利居全球首位

      電子發燒友網報道（文/李寧遠）半導體材料的突破一直是推動半導體行業發展的一大助力，為了滿足日益多元化的芯片需求，半導體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導體...

      2023-04-02 標簽：半導體材料氧化鎵第四代半導體 8128 0

      第四代半導體材料氧化鎵的優勢與發展進程

      電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規模應用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。...

      2022-01-01 標簽：半導體材料氧化鎵 4896 0

      4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

      本文通過導模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認晶體結晶質量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

      2022-11-24 標簽：晶體單晶氧化鎵 4096 0

      中國第四代半導體技術獲重大突破:金剛石與氧化鎵實現強強聯合

      2025年2月13日凌晨，中國科技界迎來一則重磅消息：吉林大學劉冰冰教授團隊聯合中山大學朱升財教授，在國際頂級期刊《Nature Materials》上...

      2025-02-18 標簽：半導體金剛石氧化鎵 3159 0

      氧化鎵產業化更進一步，本土初創企業成果涌現

      電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務部工業和安全局的文件中披露，將對...

      2023-11-06 標簽：氧化鎵 2640 0

      國內氧化鎵半導體又有新進展，距離量產還有多遠？

      電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后，氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構體，其中β-Ga...

      2022-12-28 標簽：氧化鎵 2346 0

      基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

      基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

      氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現在高...

      2023-11-15 標簽：晶圓SiC射頻器件 2284 0

      武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領域最新研究進展

      武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領域最新研究進展

      近日，武漢大學工業科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作，在國際權威期刊《Small》上發表了題為“Phase-Dep...

      2023-12-25 標簽：太陽能電池二極管氧化鎵 2224 0

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      外交部回應公布對鎵鍺出口管制 突發，中國商務部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導體關鍵原材料實施出口管制。對此我國外交部回應公布對鎵鍺出口管制是中方...

      2023-07-04 標簽：半導體氮化鎵光刻機 2178 0

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      談談熱門的氧化鎵

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      FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結構更穩定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優越（S...

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      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

      2023-12-29 標簽：功率器件SiCGaN 1936 0

      廈門大學張洪良團隊在氧化鎵半導體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

      廈門大學張洪良團隊在氧化鎵半導體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

      另一方面，作者也通過高分辨X射線光電子能譜與密度泛函理論（DFT）計算對(AlxGa1-x)2O3的電子結構進行了深入的研究，并從電子結構和能帶的角度分...

      2023-07-04 標簽：半導體光電探測器氧化鎵 1828 0

      北京銘鎵半導體引領氧化鎵材料創新，實現產業化新突破

      北京順義園內的北京銘鎵半導體有限公司在超寬禁帶半導體氧化鎵材料的開發及應用產業化方面取得了顯著進展，其技術已領先國際同類產品標準。

      2024-06-05 標簽：半導體氧化鎵 1432 0

      我國首發8英寸氧化鎵單晶，半導體產業迎新突破！

      我國首發8英寸氧化鎵單晶，半導體產業迎新突破！

      2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬...

      2025-03-07 標簽：半導體芯片封裝氧化鎵 1428 0

      第四代半導體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競爭？

      此外，氧化鎵的導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發電等領域在能源方面的消耗。數據顯示...

      2023-03-20 標簽：新能源汽車碳化硅氧化鎵 1405 0

      三菱電機加速開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體

      三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性...

      2023-08-02 標簽：晶圓三菱電機功率半導體 1336 0

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