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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      文章：83個 瀏覽：10616次 帖子：1個

      氧化鎵資訊

      日本研發出氧化鎵的低成本制法

      這種作方法屬于“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現有的“氫化物氣相外延（HV...

      2023-10-12 標簽：晶體功率半導體氧化鎵 1323 0

      IDM龍頭降價！晶圓代工大廠最新解讀

      近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

      2023-08-02 標簽：半導體晶圓IDM 1289 0

      北京鎵和首次發布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數并實現小批量生產

      近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有限公司創始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領鎵和...

      2023-10-25 標簽：半導體探測器氧化鎵 1245 0

      ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

      ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

      原創：Xoitec 異質集成XOI技術 來源：上海微系統所，集成電路材料實驗室，異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現超高壓、大功率、...

      2024-11-13 標簽：MOSFET封裝氧化鎵 1211 0

      晶旭半導體獲睿悅控股集團億元戰略投資

      據睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）的戰略投資...

      2024-02-05 標簽：半導體氧化鎵 1173 0

      國產氧化鎵研究，取得新進展

      如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。

      2022-12-21 標簽：肖特基二極管氧化鎵 1073 0

      深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究

      深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究

      近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和...

      2023-09-11 標簽：新能源汽車光電探測器碳化硅 1059 0

      三菱電機斥資9000億加速研發氧化鎵

      三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯合開發將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術，然后將其返還給Coherent"...

      2024-04-07 標簽：三菱電機功率半導體碳化硅 1027 0

      面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術介紹

      近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...

      2023-08-04 標簽：MOSFETSBDSiC 975 0

      功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

      功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

      調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩步擴大。

      2023-09-04 標簽：ledSiC氮化鎵 970 0

      第四代半導體新進展：4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

      電子發燒友網綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法...

      2025-02-17 標簽：氧化鎵 956 0

      我國實現6英寸氧化鎵襯底產業化新突破

      氧化鎵因其優異的性能和低成本的制造，成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

      2024-03-22 標簽：半導體材料氧化鎵 841 0

      碳化硅：最近比較煩！

      碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小，性能越來越好，所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加，使其成為HEV電力驅動裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅...

      2023-03-30 標簽：功率器件碳化硅氧化鎵 841 0

      異質集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

      異質集成氧化鎵：下一代高性能功率半導體器件的新基石

      來源:悅智網 ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導體器件作為高效電能控制和轉換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術的“幕后英雄”持續推動人類社會...

      2024-10-21 標簽：氧化鎵功率半導體器件異質集成 793 0

      西安郵電大學在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進展

      氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。

      2023-03-13 標簽：功率器件硅片外延片 770 0

      三菱電機入局氧化鎵，加速氧化鎵功率器件走向商用

      三菱電機入局氧化鎵，加速氧化鎵功率器件走向商用

      三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前...

      2023-08-08 標簽：MOS管肖特基二極管碳化硅 743 0

      半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

      半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

      偏振光探測與成像技術在遙感成像、機器視覺、復雜背景目標識別等領域具有廣泛的應用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現出豐富的信息獲取能力。在不同...

      2025-01-02 標簽：半導體探測器氧化鎵 736 0

      談談熱門的氧化鎵

      談談熱門的氧化鎵

      高效的超高壓功率轉換設備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導體。寬帶隙(WBG)半導體碳化硅(SiC)已經成熟成為電力電子的商業技術平臺，...

      2022-12-28 標簽：半導體氧化鎵 726 0

      蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域戰略合作協議

      來源：蘇州納米城 近日，蘇州納米城企業—蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁”）于杭州簽訂戰略合...

      2024-07-02 標簽：半導體晶圓氧化鎵 691 0

      一種具有低反向導通損耗的氧化鎵縱向FinFET

      一種具有低反向導通損耗的氧化鎵縱向FinFET

      由于Fin溝道的夾斷作用，可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸，形成無結二極管。因此，在反向續流時，無結的FD實現極低的反向導通電壓（Von）。

      2023-06-16 標簽：二極管氧化鎵 514 0

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