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      標(biāo)簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      氧化鎵資訊

      什么是第四代半導(dǎo)體？

      第四代半導(dǎo)體我們其實叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄...

      2022-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氧化鎵 1.8萬 0

      氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

      氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

      　　與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開...

      2012-04-18 標(biāo)簽：SiC功率元件氧化鎵 9363 0

      志在替代第三代半導(dǎo)體材料，氧化鎵目前有沒有這個實力？

      韓國政府在近日宣稱將加大非硅功率半導(dǎo)體在本土的發(fā)展，用于電動汽車和其他對功效和耐用性要求較高的技術(shù)。該計劃將支持5種以上的半導(dǎo)體在2025年實現(xiàn)本土商業(yè)...

      2021-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 8612 0

      中國領(lǐng)跑第四代半導(dǎo)體材料，氧化鎵專利居全球首位

      中國領(lǐng)跑第四代半導(dǎo)體材料，氧化鎵專利居全球首位

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）半導(dǎo)體材料的突破一直是推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力，為了滿足日益多元化的芯片需求，半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體...

      2023-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵第四代半導(dǎo)體 8137 0

      第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵的優(yōu)勢與發(fā)展進程

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。...

      2022-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵 4900 0

      4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

      本文通過導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

      2022-11-24 標(biāo)簽：晶體單晶氧化鎵 4100 0

      中國第四代半導(dǎo)體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實現(xiàn)強強聯(lián)合

      2025年2月13日凌晨，中國科技界迎來一則重磅消息：吉林大學(xué)劉冰冰教授團隊聯(lián)合中山大學(xué)朱升財教授，在國際頂級期刊《Nature Materials》上...

      2025-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石氧化鎵 3272 0

      氧化鎵產(chǎn)業(yè)化更進一步，本土初創(chuàng)企業(yè)成果涌現(xiàn)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導(dǎo)體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務(wù)部工業(yè)和安全局的文件中披露，將對...

      2023-11-06 標(biāo)簽：氧化鎵 2642 0

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      基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

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      氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現(xiàn)在高...

      2023-11-15 標(biāo)簽：晶圓SiC射頻器件 2293 0

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      武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

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      外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制

      外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實施出口管制。對此我國外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制是中方...

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      談?wù)劅衢T的氧化鎵

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      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

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      我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！

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      北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破

      北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

      2024-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 1435 0

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