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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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芯片設計公司對其多目標的IC需進行快速封裝,其封裝能在不需繁雜的專業處理即可直接分析,甚至提供用戶進行試用評價,在目前高可靠的封裝方面其首選是陶瓷封裝。
雙極型集成電路的制作工藝復雜,功耗較大,代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單,功耗也較低,易...
摩爾定律的不斷向前發展,正在推動著半導體工業向三維(3D)集成的方向發展,同時也在推動著諸如堆棧存儲與邏輯、以及硅穿孔(TSV)互連等先進封裝架構技術的發展。
本文將概述GaN在硅的開發方面的最新技術,以及通過利用大批量,大尺寸,晶圓尺寸的半導體加工技術,它可以降低生產成本。在英國,Plessey Semico...
東芝美國電子元件的最新白光LED之一Inc.(TAEC)使各類應用的設計人員能夠更輕松地過渡到LED技術。 TAEC已擴展其LETERAS系列白光LED...
未來半導體制造需要怎樣的EDA工具 機器學習為EDA帶來什么改變
在20/22nm引入FinFET以后,先進工藝變得越來越復雜。在接下來的發展中,實現“每兩年將晶體管數量增加一倍,性能也提升一倍”變得越來越困難。摩爾定...
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數,例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實現更短的 Lg。
襯底(substrate)是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件,也可以進行外延工藝加工生產外延片。
碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。
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