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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過(guò)柵極電壓...
電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):現(xiàn)代制造業(yè)的焊接精英
在快速發(fā)展的現(xiàn)代制造業(yè)中,焊接技術(shù)作為連接金屬與合金的關(guān)鍵工藝,其重要性不言而喻。隨著科技的進(jìn)步和制造業(yè)的升級(jí),電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)作為現(xiàn)代焊接技術(shù)的杰...
2024-08-26 標(biāo)簽:晶體管焊接點(diǎn)焊機(jī) 458 0
大族數(shù)控?cái)y最新激光解決方案亮相JPCA SHOW 2025
此前,2025年6月4日至6日,大族數(shù)控?cái)y最新激光解決方案重磅亮相日本JPCA SHOW。作為亞洲電子電路產(chǎn)業(yè)的標(biāo)桿盛會(huì),JPCA SHOW2025匯聚...
晶臺(tái)推出KL357,電流轉(zhuǎn)換率高達(dá)50~600%
產(chǎn)品描述ProductDescription晶臺(tái)推出KL357系列包含一個(gè)紅外發(fā)射二極管,光耦合到一個(gè)光電晶體管構(gòu)成光電耦合器,采用4引腳小外形SMD封...
2024-11-12 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用 448 0
SC2020半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測(cè)設(shè)備技術(shù)解析
C2020晶體管測(cè)試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導(dǎo)體分立器件?設(shè)計(jì)的?電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備?,集成實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量精度(±0.1%)與...
2025-03-13 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 441 0
顯示半導(dǎo)體將從2nm節(jié)點(diǎn)繼續(xù)縮放,2036年將達(dá)到更高的密度
IMEC 是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造獨(dú)立研究機(jī)構(gòu),它指出半導(dǎo)體技術(shù)的擴(kuò)展將變得更加復(fù)雜。就電路密度而言,摩爾定律可以繼續(xù)下去。
近日,格拉斯哥大學(xué)詹姆斯·瓦特工程學(xué)院教授戴維·莫蘭 (David Moran) 帶領(lǐng)研究團(tuán)隊(duì)與澳大利亞皇家墨爾本理工大學(xué)和美國(guó)普林斯頓大學(xué)合作完成研究...
本文主要介紹微型晶體管高分辨率X射線成像 ? 一種經(jīng)過(guò)升級(jí)的X射線可對(duì)芯片內(nèi)部進(jìn)行3D成像,展現(xiàn)其設(shè)計(jì)和缺陷。這種方法的分辨率為4納米,提供的圖像非常清...
碳化硅芯片正在占領(lǐng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)
在純電動(dòng)汽車的眾多電子系統(tǒng)中,功率電子設(shè)備是核心所在,而半導(dǎo)體在其能源管理中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
UMS的CHK8101-SYC是款前所未有的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。CHK8101-SYC為各類射頻功率技術(shù)應(yīng)用提供通用型和寬帶解決方案。CHK8...
2022年模擬市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)20.8%
小信號(hào)晶體管的這種水平預(yù)測(cè)似乎是合理的,但功率晶體管的需求由于汽車電氣化而持續(xù)增長(zhǎng),因此我們應(yīng)該可以預(yù)期同比增長(zhǎng)超過(guò)10%。
Wolfspeed的CG2H80045D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優(yōu)異的性能指標(biāo);包含更高擊穿場(chǎng)強(qiáng)...
2022-10-20 標(biāo)簽:晶體管 417 0
半導(dǎo)體行業(yè)在實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)過(guò)程中的重要里程碑
每隔幾個(gè)月就會(huì)有更新?lián)Q代的電子產(chǎn)品問世。它們通常更小、更智能,不僅擁有更快的運(yùn)行速度與更多帶寬,還更加節(jié)能,這一切都要?dú)w功于新一代先進(jìn)的芯片和處理器。
格羅方德鍺硅技術(shù)的發(fā)展歷史和應(yīng)用
20世紀(jì)80年代末至90年代初,在紐約和佛蒙特州這些看似與半導(dǎo)體革命毫無(wú)關(guān)聯(lián)的地方,一場(chǎng)悄無(wú)聲息的半導(dǎo)體變革正悄然興起。即便是最癡迷于半導(dǎo)體的發(fā)燒友,也...
分立晶體管是電子設(shè)計(jì)中最常見的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用,從簡(jiǎn)單的小信號(hào)晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。
?9.1.2增益參數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
9.1.2增益參數(shù)9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPL...
煤炭——?jiǎng)e燒它,用它計(jì)算某種化石燃料可用作晶體管的二維絕緣膜
來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯 美國(guó)能源部(DOE)布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、哥倫比亞大學(xué)和石溪大學(xué)的科學(xué)家們已經(jīng)開發(fā)出一種通用方法,用于生產(chǎn)各種設(shè)計(jì)的金屬和半導(dǎo)體...
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