串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號(hào)：
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53
512 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管偏置電阻的計(jì)算主要是為了確定適當(dāng)?shù)幕鶚O電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷海瑥亩?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43370 
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問(wèn)題。我正在嘗試讓 LED 通過(guò)晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開(kāi)通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開(kāi)關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開(kāi)關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，應(yīng)用廣泛，可以在計(jì)算機(jī)、電視、手機(jī)等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時(shí)非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護(hù)，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 專業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的類產(chǎn)品；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40120選用28伏電源軌工作；具備通用型應(yīng)用領(lǐng)域；適合各種射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達(dá)系統(tǒng)的內(nèi)部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:55:56
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達(dá)系統(tǒng)的內(nèi)部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:53:36
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷達(dá)系統(tǒng)的內(nèi)部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
2023-08-07 15:49:41
10瓦；C波段；無(wú)與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:16:09
10瓦；C波段；無(wú)與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:14:06
10瓦；C波段；無(wú)與倫比；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 15:11:49
2.4 - 2.5 GHz、300W 氮化鎵晶體管 Wolfspeed 的 WST33H0NC 是一款 300W 封裝、部分匹配的晶體管，采用 Wolfspeed 的高性能、50V
2023-08-07 14:26:59
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏電源軌
2023-08-07 09:25:11
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃爾夫斯派特的cg2h80120d是一種氦氮化鈉(GAN)高電動(dòng)晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃爾夫斯派特公司的cg2h80060d是一種氦氮化鎂(GAN)高電動(dòng)晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃爾夫斯派特的CG2H80045D是一種氮化鋇(GAN)高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和較高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無(wú)與倫比的,它是高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶
2023-08-04 16:41:15
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無(wú)與倫比的,它是高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶
2023-08-04 16:29:07
45瓦射頻功率 沃爾夫斯派特公司的cg2h40045是無(wú)與倫比的,它是高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40045;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供寬帶
2023-08-04 16:17:49
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無(wú)與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無(wú)與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 15:49:22
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無(wú)與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻
2023-08-04 10:04:25
35-W射頻功率 沃爾夫斯派特的cg2h40035是無(wú)與倫比的;氮化鋇(GAN)高電子移動(dòng)晶體管(HEMT)。cg2h40035;在28伏軌道上運(yùn)行;提供一般用途;為各種射頻和微波應(yīng)用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越
2023-08-03 14:06:49
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射頻功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
。
排水端子
· 在 FET 中，漏極端子是載流子離開(kāi)溝道的地方。
· 這類似于雙極結(jié)型晶體管中的集電極端子。
· 漏源電壓指定為 VDS。
· 漏極端子可指定為 D。
· 離開(kāi)漏極端子通道的電流可以指定
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
ZXTP19100CG 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP19100CG（PNP, 100V, 2A, SOT223）這種采用 SOT223 外形封裝的新型低飽和 PNP 晶體管具有
2023-06-11 16:36:12
ZXTP19060CG 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP19060CG（PNP、60V、5A、SOT223）這種采用 SOT223 外形封裝的新型低飽和 PNP 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)
2023-06-11 14:34:04
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
ZXTN19100CG 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN19100CG 采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗，使其非常適合用于 DC-DC
2023-06-07 07:25:22
ZXTN19060CG 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN19060CG 采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗，使其非常適合
2023-06-07 07:00:31
當(dāng) D0 (GPIO16) 設(shè)置為輸出時(shí)，我在默認(rèn)引腳（D1 和 D2）上使用 I2C 時(shí)遇到問(wèn)題。GPIO16 連接到 mosfet 晶體管以驅(qū)動(dòng)兩個(gè) LED。通常 GPIO16 運(yùn)行良好——我
2023-06-06 06:02:42
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362179 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59833 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201133 嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個(gè)電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過(guò) 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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