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標簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速...
2024-07-10 標簽:光刻膠 1247 0
后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光...
2024-07-09 標簽:光刻膠 2200 0
圖形反轉膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當正膠使用又可以作為負膠使用。相比而言,負膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負膠工藝。 應用領域 在反轉...
2024-07-09 標簽:光刻膠 1160 0
通常,光刻膠只是用作構建圖形步驟中的臨時掩膜。因此,光刻工藝的最后一步通常是需要去除光刻膠,我們稱之為去膠或者除膠。并且對去膠過程的要求是:迅速去膠且沒...
2024-07-08 標簽:光刻膠 1203 0
我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規劃好。并...
一份PPT帶你看懂光刻膠分類、工藝、成分以及光刻膠市場和痛點
共讀好書 前烘對正膠顯影的影響 前烘對負膠膠顯影的影響 需要這個原報告的朋友可轉發這篇文章獲取百份資料,內含光刻膠多份精品報告【贈2024電子資料百份】...
SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型Inpria MOR光刻膠
據 TheElec報道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...
關于光刻膠及其他芯片制造材料的未來銷售預期,渡邊義人表示,“2023財年,公司半導體材料銷售額已突破1000億日元(約合6.4億美元),我們期待在203...
本次榮獲“首批新材料”稱號的藍色顯示光刻膠,歷經公司多年密集研發,同行業相較其關鍵參數處于領先地位,多項性能優于國際同類產品,目前暢銷于多個行業知名品牌。
三星擬應用金屬氧化物抗蝕劑(MOR)于DRAM EUV光刻工藝
據悉,MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠(PR)解決方案,有望替代現今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠(CAR)。然而,CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能...
在被超60億美元收購后,日本光刻膠巨頭JSR積極尋求擴大規模,以適應全球芯片制造行業的快速發展。
光刻膠的性能:光刻膠的性能對套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度,光刻膠的收縮和厚度不均勻性都可能導致實際圖案尺寸與設計尺寸之間的偏差。
對于未來發展,JSR強調通過并購獲取新技術及擴大規模是實現成功的關鍵。作為全球最大的光刻膠生產商之一,JSR在半導體晶圓電路形成領域占據了27%的市場份...
康達新材投資2.89億元建設半導體光刻膠關鍵材料光引發劑技術項目?
康達新材表示,為了貫徹其“新材料+電子科技”戰略,優化旗下彩晶光電產品構成,填補內地資源空缺,推進國產化進程,解決半導體光刻膠核心材料受限問題,打破國際...
隨著半導體制造工藝節點不斷發展至100納米甚至更小的10納米級別,如何制作出尺寸精度高、表面特征優秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業面臨的挑戰。
據吳中發布的最新消息,簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目,該項投資高達15億元,旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。
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